10Gbit/s InGaP/GaAs HBTドライバIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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高速用途に特性改善したInGaP/GaAs HBT を用いて10Gbit/s EA/LD 駆動用ICを開発した.低コスト化を実現するため,量産性に優れたInGaP/GaAs HBT 技術を継承しつつ,高いf_T,F_<max>特性が得られるようにコレクタ層の厚みを最適化した.実装時のボンディングワイヤやパッケージのリアクタンス成分による波形劣化を抑制するために,出力バッファ部の回路設計およびレイアウト設計を行った.その結果,5mm角プラスティックパッケージにおいてもベアチップと同等な波形出力が可能となり,パッケージの小型化と実装コストの削減を実現した.試作したICは,O.lVppという高入力感度と1〜3Vppという広い出力振幅可変幅と共に,立ち上がり/立ち下がり時間tr/tfが30ps以下という高速応答特性を達成した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-13
著者
-
東坂 範雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所光素子部
-
鈴木 敏
三菱電機
-
宮下 美代
三菱電機株式会社
-
山本 和也
三菱電機株式会社
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
山本 和也
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
小川 喜之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
長明 健一郎
三菱電機株式会社
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
東坂 範雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
島田 征明
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
松原 司
株式会社kdl
-
宮脇 勝巳
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
山田 和也
ミヨシ電子株式会社
-
南原 成二
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
島田 征明
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
宮下 美代
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
-
東坂 範雄
三菱電機株式会社
-
島田 征明
三菱電機株式会社
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社
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