GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
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概要
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GSM方式携帯電話は小型軽量化・低価格化の要求が厳しく、パワーアンプは、電源電圧レギュレータやRF出力アイソレータを省略した場合の大きな負荷変動にも対応しなければならない。我々は、チップ面積縮小のための放熱構造設計や、高出力負荷変動に対応するためのアクティブ・フィードバック回路技術により、900MHz/1800MHzデュアル・バンドGSM方式携帯電話用AIGaAs-HBT MMICパワー・アンプの量産化を実現した。本論文ではその概説を行う。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-01-11
著者
-
鈴木 敏
三菱電機
-
山本 和也
三菱電機株式会社
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
紫村 輝之
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
紫村 輝之
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
服部 亮
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
服部 亮
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
山本 佳嗣
三菱電機株式会社
-
宮国 晋一
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
山本 佳嗣
三菱電機高周波光素子事業統括部
-
山本 佳嗣
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
宮國 晋一
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
宮国 晋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
宮國 晋一
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
服部 亮
高周波光素子統括部
-
服部 亮
三菱電機株式会社
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社
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