低消費電流動作PHS用送受信一体化GaAs MMIC
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概要
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急速に成長を続けるディジタル携帯電話やディジタルコードレス電話を始めとする移動体通信市場においては, 携帯端末機に対する小型・軽量化が強く望まれている。我々はGaAs MMICの持つ小型・高集積化の利点を最大限に活用するために, プレーナSAGパワーFETを開発し, さらにRFフロントエンド部を1チップ化したPHS用一体化GaAs ICを開発した。図1のブロック図に示すように, 本ICは電力増幅器(PA), 送受切替スイッチ(SW), 低雑音増幅器(LNA), 送信・受信用アッテネータ(TX-/RX-ATT)からなるアナログ回路と, PAに真のゲート電圧を供給する負電圧発生回路(NVG), 各回路の制御を担う制御ロジック回路(Logic)からなるディジタル回路を2.1×1.95 mm^2のGaAs基板上に集積化した。送信特性は3V単一電源動作で, 出力22 dBm(利得25 dB, ACP<-55dBc), 送信電流約170 mAを実現した。今回, さらなるチップサイズの低減と低消費電流化を図った一体化ICを設計・試作し, 良好な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
山本 和也
三菱電機株式会社
-
高木 直
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
山本 和也
三菱電機(株)
-
中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
森脇 孝雄
三菱電機
-
笠井 信之
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
森脇 孝雄
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
吉井 泰
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
中山 正敏
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
小方 規子
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
笠井 信之
三菱電機株式会社
-
吉井 泰
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
森脇 孝雄
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
-
中山 正敏
三菱電機(株)
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