1.9GHz帯移動体通信用送受信一体化GaAs IC (<特集> アナログ・アナデジLSIおよび一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
1.9GHz帯移動体通信用送受信一体化GaAsICを, 低コスト・量産性に優れたプレーナSAGFETプロセスを用いて開発した. 本ICは, 電力増幅器, RFスイッチ, 低雑音増幅器, 送信・受信用減衰器の他に, 電力増幅器の負のゲートバイアス電圧を供給し, 3Vの単一電源動作を可能にする負電圧発生回路とこれらの各回路を制御信号に応じて送信・受信モードに切り替える制御ロジック回路を集積化している. 評価の結果, 出力22dBm, 効率30%の良好な送信特性を3V単一電源動作で得ることができた. また本ICのために新たに開発した負電圧発生回路は, 充電時間200nsという高速動作と-70dBc以下の低スプリアス出力を達成した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-27
著者
-
井上 晃
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
山本 和也
三菱電機株式会社
-
高木 直
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
前村 公正
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
山本 和也
三菱電機(株)
-
前村 公正
三菱電機
-
笠井 信之
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
吉井 泰
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
中山 正敏
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
小方 規子
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
笠井 信之
三菱電機株式会社
-
前村 公正
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
吉井 泰
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
井上 晃
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
中山 正敏
三菱電機(株)
関連論文
- C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 無線通信用カレントミラー型GaAs HBT RF検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- GaAs方向性結合器付き検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-22 10Gbit/sフリップフロップ内蔵分布型EA変調器駆動IC
- K帯WSi/Au T型埋め込みゲート高出力HEMT
- Ku帯WSi/Au T型埋め込みゲートGaAs高出力HFET
- 高抵抗基板とハイブリッドトレンチ分離を用いた0.18μmSOI技術のRF/アナログ混載への応用について
- C-10-1 受動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 能動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-17 GaAs基板上に作製したカプラ付きHBT RF検波回路の基本検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-16 増幅段バイパス型利得切替HBT増幅器に関する検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 2.5/3.5GHz帯InGaP HBT電力増幅器モジュール(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-1 GaAs HBT RF検波回路に関する基本検討(2)(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-8 低レファレンス電圧動作HBT電力増幅器の利得・位相特性の解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- アクティブボディ効果を利用した低電源電圧動作可能なSOI CMOS低雑音増幅器
- レジスティブミクサの動作解析
- デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- C-10-12 マイクロ波時間波形測定によるHBTの最大動作領域解析
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- GSM/EDGEデユアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
- GSM/EDGEデュアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
- C-10-8 電力増幅器制御用カレントミラー型バイアス回路
- C-10-17 5GHz帯HBT-MMIC低雑音ドライバとスイッチの試作
- C-10-16 マルチフィンガーHBTの熱均一動作のためのバラスト抵抗設計
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- C-10-8 ***電流切替回路による低電圧動作HBT電力増幅器の歪み改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器
- 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-2-37 並列ダイオードリニアライザを適用したVHF帯10倍帯域低歪40W増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器 (マイクロ波)
- C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 出力容量を考慮した設計による増幅器の広帯域化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- レジスティブミクサの動作解析
- C-10-1 1.8V 動作 1.2/2.4GHzCMOS 周波数逓倍器の検討
- 1.8V動作Bluetooth用RF-CMOSトランシーバ
- A-1-14 低電圧動作可能なチャネル選択フィルタを用いて実現した1.8V動作RFCMOSトランシーバLSI
- 2.4GHz帯1.8V動作のCMOS RFフロントエンドICの試作
- C-10-18 0.18μmメッシュアレイMOSFETの高周波特性に関する検討
- 2.4GHz帯Si-CMOS MMICフロントエンド (「VLSI一般」)
- C-10-7 2.4GHz/5.2GHz帯Si-CMOS MMIC低雑音増幅器
- C-10-11 2.4GHz帯 Si-CMOSフロントエンドMMICの試作
- C-10-2 Si-MOSFETの小信号等価回路パラメータ抽出法に関する検討
- 低電圧・広帯域動作CDMA用HBT電力増幅器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 低電圧・広帯域動作CDMA用HBT電力増幅器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- 携帯端末用HBT電力増幅器,AWAD2006)
- 携帯端末用HBT電力増幅器
- 高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
- 無線通信用1.2/2.4GHz帯及び2.6/5.2GHz帯CMOS周波数逓倍器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 無線通信用1.2/2.4GHz帯及び2.6/5.2GHz帯CMOS周波数逓倍器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-7 5GHz帯CMOSフロントエンドMMIC
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- 出力容量を考慮した設計による増幅器の広帯域化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 低電圧動作・高出力WSi/W二層ゲートSAGFET
- CDMA用2.4V低レファレンス電圧動作HBT-MMIC電力増幅器 (特集 高周波・光デバイス)
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器
- C-10-6 CDMA端末用2.4V低リファレンス電圧動作InGaP-HBT電力増幅器(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
- 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
- 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
- 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
- 2.4GHz帯無線LAN用低電圧動作GaAs送受信一体化MMIC
- 低消費電流動作PHS用送受信一体化GaAs MMIC
- C-10-6 デュアルバンドHBT-MMIC用バンド切換スイッチ回路に関する検討
- Outside-Base/Centor-Via-Hole形HBTデュアルバンドMMIC増幅器
- C-10-2 3.2V動作GSM900/1800用HBT-MMIC電力増幅器
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器
- C-10-5 GaAs AC結合スタック型ダイオードステップ減衰器の歪み特性の改善(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-2-27 Outside-Base/Center-Via-HoleレイアウトHBTを用いたGSM900/DCS1800デュアルバンドMMIC増幅器
- フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討 (マイクロ波)
- フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討 (電子デバイス)
- 低電流・低歪みカスコードFETミクサを用いたPHS用送受信一体化RFフロントエンドMMIC
- 低電流, 低歪みカスコードFETミクサを用いたPHS用送受信一体化RFフロントエンドMMIC
- 10Gbit/s識別器用広帯域バッファの検討
- GaAs方向性結合器付き検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 1.9GHz帯低電圧動作・高効率SAGFET
- C-2-32 MICで構成された並列ダイオードリニアライザの高周波化に関する検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-82 負の群遅延時間に対する回路パラメータ依存性の検討(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- パルスRF/パルスI-V測定を用いたGaAs FET評価
- ミリ波帯オンウエハ自動評価システムの開発
- GaN HEMT広帯域高効率増幅器(マイクロ波,超伝導)
- GaN HEMT広帯域高効率増幅器(マイクロ波,超伝導)
- 1.9GHz帯移動体通信用送受信一体化GaAs IC ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
- 動作電圧範囲の広いSCFL-DCFLレベルシフト回路の検討
- GaN HEMTを用いたS帯高耐電力低雑音増幅器
- C-2-25 C帯宇宙用オンチップ高調波処理回路内臓100W GaN増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- 高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討