GaN HEMT広帯域高効率増幅器(マイクロ波,超伝導)
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概要
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GaN HEMTを用いた広帯域高効率増幅器について報告する.表面パッシベーション膜の形成にCag-CVD法を用いることでカレントコプラスの問題を解消した.また高調波ロードプル測定により入出力ともに電力付加効率(PAE)最大となる負荷インピーダンスにて入出力特性を測定した.その結果,C帯にて40V動作で62%の最大素子PAEが得られた.このGaN HEMTを用いて3種類の回路構成でC帯広帯域高効率増幅器を試作した.その結果,いずれの回路構成でも出力40W〜100W,PAE50%以上の高効率・高出力が比帯域5%以上の広帯域において得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-04-15
著者
-
山中 宏治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
井上 晃
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
山中 宏治
三菱電機 情報技総研
-
茶木 伸
三菱電機株式会社
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社
-
津山 祥紀
三菱電機株式会社
-
大塚 浩志
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
茶木 伸
三菱電機(株)電子システム研究所
-
津山 祥紀
三菱電機(株)通信機製作所
-
茶木 伸
三菱電機
-
Inoue Akira
Information Technology R&d Center
-
井上 晃
Information Technology R&d Center
-
山中 宏治
三菱電機(株)
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