温度特性を考慮した大信号モデルを用いたKu帯15W高効率内部整合FET

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概要

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• 温度特性を考慮した大信号モデルを用いてKu帯15W高効率内部整合FETを開発した.高出力に加えて高効率,高利得な特性を得るため,抽出した大信号モデルを用いて各温度に対する最適な整合条件を求めた.また,高利得化のため,12セルで構成される1チップHFETを4つの3セルHFETに分けるとともに,広帯域化のため入力側の1段目のインピーダンス変成器の最適化を行った.試作の結果,周波数14.2GHz,ベース温度Tb=40degCにおいて, P1dB=41.8dBm(15W),効率37.5%,Tb=-15〜100度においてP1dB=41.4dBm,効率33.8%の良好な特性が得られたので報告する.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-12-19

著者

• 高木 直

  東北大学電気通信研究所

• 森 一富

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 大塚 浩志

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 末松 憲治

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 高木 直

  三菱電機株式会社

• 小芦 佳宏

  ミヨシ電子株式会社

• 辻 聖一

  三菱電機株式会社

• 森 一富

  三菱電機株式会社

• 末松 憲治

  三菱電機株式会社

• 大塚 浩志

  三菱電機株式会社

• 酒井 雄二

  三菱電機株式会社

• 清野 清春

  三菱電機株式会社

• 辻 聖一

  三菱電機

• 辻 聖一

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

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