広帯域高効率C帯内部整合FET(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
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概要
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C帯において広帯域に高効率な特性を有する内部整合FETを開発したので報告する。大信号モデルを用いて,高精度に基本波(fo),二倍波(2fo)の最適インピーダンスを求め,広帯域に最適インピーダンスに整合することにより,広帯域に高効率な特性を実現した。基本となる大信号モデルには, I-V特性が良く一致するAngelovモデルを採用した。ゲート幅の小さい単位セルFETに対して抽出したモデルより,ビアホールの共通化によるソースインダクタンスの増加を考慮して,ゲート幅の大きい1チップFETに対するモデルを求めた。開発した内部整合FETは,帯域300MHzで効率65%以上と良好な特性を実現した。測定結果と計算結果はよく一致し,大信号モデルを用いた設計が有効であることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-11-11
著者
-
高木 直
東北大学電気通信研究所
-
森 一富
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
森 一富
三菱電機株式会社
-
湯川 秀憲
三菱電機株式会社
-
橘高 義典
三菱電機株式会社
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社
-
小倉 恵
三菱電機株式会社鎌倉製作所
-
南出 啓信
三菱電機株式会社
-
角田 聡泰
三菱電機株式会社
-
湯川 秀範
三菱電機株式会社
-
小倉 恵
三菱電機株式会社
-
角田 聡泰
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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