C帯高効率高出力GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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GaN HEMTを用いたC帯高出力増幅器について報告する.表面パッシベーション膜の形成にCat-CVD法を用いることでカレントコラプスの問題を解消した.これにより50V動作で6.3W/mmの最大素子出力密度が得られた.また40V動作で62%の最大素子電力付加効率が得られた.これらのGaN HEMTを用いてC帯高出力増幅器を試作した.ループ発振を有効に抑圧するセル分割構造を採用することによりC帯で220W出力の増幅器出力が得られた.またトランジスタ素子の近傍の整合回路上に高調波を適切に終端するプリマッチ回路を構成することにより比帯域10%にわたって50%以上の効率を得ることができた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-09
著者
-
森 一富
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
山中 宏治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
森 一富
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
森 一富
三菱電機株式会社
-
能登 一二三
三菱電機株式会社
-
能登 一二三
三菱電機(株)
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社
-
大塚 浩志
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
Noto Hifumi
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-
山中 宏治
三菱電機(株)
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