能登 一二三 | 三菱電機(株)
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概要
関連著者
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能登 一二三
三菱電機(株)
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Noto Hifumi
Information Technology R&d Center
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能登 一二三
三菱電機株式会社
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山内 和久
三菱電機
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能登 一二三
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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山内 和久
三菱電機(株)
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大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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大塚 浩志
三菱電機株式会社
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中山 正敏
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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井上 晃
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機株式会社
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山内 和久
三菱電機株式会社
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中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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中山 正敏
三菱電機(株)
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中山 正敏
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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森 一富
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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井上 晃
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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森 一富
三菱電機株式会社
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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山中 宏治
三菱電機(株)
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山中 宏治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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津山 祥紀
三菱電機株式会社
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大塚 浩志
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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Inoue Akira
Information Technology R&d Center
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安永 吉徳
三菱電機(株)
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川上 憲司
三菱電機(株)
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安永 吉徳
三菱電機(株)通信機製作所
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平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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弥政 和宏
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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山中 宏治
三菱電機 情報技総研
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茶木 伸
三菱電機株式会社
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弥政 和宏
三菱電機株式会社
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濱松 美博
三菱電機株式会社
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茶木 伸
三菱電機
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Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
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井上 晃
Information Technology R&d Center
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中山 正敏
三菱電機
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桑田 英悟
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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礒田 陽次
三菱電機株式会社
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磯田 陽次
三菱電機株式会社
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森 一富
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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Angelov I.
Chalmers工科大
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桑田 英悟
三菱電機株式会社
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Thorsell Mattias
Chalmers University of Technology
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Andersson Kristoffer
Chalmers University of Technology
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木村 実人
三菱電機株式会社
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木村 実人
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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石坂 哲
三菱電機株式会社
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石坂 哲
明治大学理工学部電子通信工学科
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安藤 暢彦
三菱電機(株)稲沢製作所ビルシステム部fpr事業推進グループ
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Angelov Iltcho
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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Andersson Kristoffer
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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Thorsell Mattias
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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加茂 宣卓
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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Angelov Iltcho
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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平野 嘉仁
三菱電機(株)
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安藤 暢彦
三菱電機(株)
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米田 諭
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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内田 浩光
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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大平 昌敬
ATR波動工学研究所
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社
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川上 憲司
東京慈恵会医科大学放射線科
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岡崎 浩司
NTTドコモ先進技術研究所
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上田 哲也
京都工芸繊維大学
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川上 憲司
杏林大学
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金谷 康
三菱電機株式会社
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野上 洋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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上田 哲也
京都工繊大
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堀口 健一
三菱電機株式会社
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川上 憲司
三菱電機(株)情報技術総合研究前
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湯川 秀憲
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機
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内田 浩光
三菱電機株式会社
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内田 浩光
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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加屋野 博幸
東芝
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加屋野 博幸
株式会社東芝研究開発センターモバイル通信ラボラトリ
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米田 諭
三菱電機株式会社
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宮崎 守秦
三菱電機株式会社
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ポカレル ラメシュ
九州大学
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大石 敏行
三菱電機株式会社
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Angelov Iltcho
Chalmers University of Technology
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能登 一ニ三
三菱電機株式会社
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大石 敏之
三菱電機(株)
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Andersson Kristoffer
Chalmers Univ. Of Technol. Goeteborg Swe
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Thorsell Mattias
Chalmers Univ. Of Technol. Goeteborg Swe
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米田 聡
三菱電機株式会社
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津山 祥範
三菱電機株式会社
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岡崎 浩司
株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ
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加茂 宣卓
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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半野 嘉仁
三菱電機株式会社
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湯川 秀範
三菱電機株式会社
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野坂 秀之
日本電信電話株式会社
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大平 昌敬
埼玉大学大学院理工学研究科
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堀口 健一
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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濱松 美博
三菱電機(株)
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上田 哲也
松下電器産業株式会社半導体研究センター
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YAMANAKA Koji
Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation
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平野 嘉仁
三菱電機 先端技総研
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Angelov Iltcho
Chalmers Univ. Of Technol. Goeteborg Swe
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大平 昌敬
埼玉大学
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小坂 尚希
三菱電機株式会社
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THORSELL Mattias
GHz Centre, Dep. of Microtechnology and Nanoscience (MC2), Microwave Electronics Laboratory, Chalmer
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ANDERSSON Kristoffer
GHz Centre, Dep. of Microtechnology and Nanoscience (MC2), Microwave Electronics Laboratory, Chalmer
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INOUE Akira
Information Technology R&D Center
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NOTO Hifumi
Information Technology R&D Center
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藤崎 孝一
三菱電機(株)
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小浜 正彦
三菱電機(株)
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堤 由佳子
株式会社東芝
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大塚 浩志
三菱電機
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加屋野 博幸
株式会社東芝
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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野上 洋一
三菱電機株式会社
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山内 和久
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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野坂 秀之
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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小柳 元良
三菱電機(株)
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前原 宏昭
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
前原 宏昭
三菱電機(株)
-
川上 憲司
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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堀ロ 健一
三菱電機株式会社
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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圷 浩行
三菱電機(株)
著作論文
- C-2-13 C帯CaN HEMT広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-37 並列ダイオードリニアライザを適用したVHF帯10倍帯域低歪40W増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-38 動的負荷線測定に基づいたGaN HEMT大信号モデル(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-29 10%の比帯域を有するC帯内部整合GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-24 C帯220W出力GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-23 C帯60W出力GaN HEMT広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-27 X帯60W高効率GaN内部整合FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
- C-2-29 抵抗装荷型安定化回路によるC帯GaN HEMT高出力増幅器の利得平坦化検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-37 FET近傍に2倍波反射オープンスタブを有するC帯GaN HEMT高出力増幅器(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-32 MICで構成された並列ダイオードリニアライザの高周波化に関する検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-82 負の群遅延時間に対する回路パラメータ依存性の検討(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-15 負の群遅延時間を有する回路による増幅器の群遅延時間短縮に関する検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- アンチパラレル型直列ダイオードリニアライザによる電力増幅器の歪み補償(マイクロ波,超伝導,一般)
- アンチパラレル型直列ダイオードリニアライザによる電力増幅器の歪み補償(マイクロ波,超伝導,一般)
- C-2-18 アンチパラレル型直列ダイオードリニアライザの動作原理に関する検討(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C帯高効率高出力GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C帯高効率高出力GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-2-4 アンチパラレル型直列ダイオードリニアライザを用いたUHF帯電力増幅器の歪補償実験(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-11 仮想接地型ダイオードリニアライザによるKu帯電力増幅器の歪み補償(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- On the Large Signal Evaluation and Modeling of GaN FET
- C-2-16 点対称バランを用いたプッシュプル増幅器の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- C-2-31 並列ダイオードリニアライザの位相特性に関する検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 2011年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告
- S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT 高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化
- 高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討
- C-2-27 Ku帯100W GaN内部整合FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- ダイオードリニアライザの高周波化に関する検討
- C-2-33 周波数制御型ダイオードリニアライザ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-41 ダイオードリニアライザの寄生成分に関する検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス))
- C-2-13 マルチポートフィードフォワード増幅器の不要波抑圧に関する検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)