野上 洋一 | 三菱電機株式会社
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概要
関連著者
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野上 洋一
三菱電機株式会社
-
平野 嘉仁
三菱電機株式会社
-
金谷 康
三菱電機株式会社
-
井上 晃
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機株式会社
-
内田 浩光
三菱電機株式会社
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能登 一二三
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社
-
小坂 尚希
三菱電機株式会社
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野上 洋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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内田 浩光
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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吉田 直人
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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日坂 隆行
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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山中 宏治
三菱電機 情報技総研
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中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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吉田 直人
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
日坂 隆行
三菱電機株式会社
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Noto Hifumi
Information Technology R&d Center
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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能登 一二三
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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林 一夫
三菱電機株式会社高周波光素子統括部
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佐々木 肇
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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林 一夫
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
林 一夫
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
半野 嘉仁
三菱電機株式会社
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平野 嘉仁
三菱電機 先端技総研
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林 一夫
三菱電機株式会社
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佐々木 肇
三菱電機株式会社
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
蓮池 篤
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
山中 宏治
三菱電機
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内田 浩光
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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能登 一二三
三菱電機(株)
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Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
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中山 正敏
三菱電機
著作論文
- AlGaAs/InGaAs PHEMTの劣化メカニズム(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- AlGaAs/InGaAs PHEMTの大信号動作時の劣化機構 : 高電界による半導体表面劣化(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- AlGaAs/InGaAs PHEMTの大信号動作時の劣化機構 : 高電界による半導体表面劣化(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT 高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化
- C-2-28 S帯170W/70%パーシャル整合GaN on Si高効率高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化
- S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化