Yamanaka Koji | Information Technology R&d Center

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概要

• 同名の論文著者
• Information Technology R&d Centerの論文著者

関連著者

• Yamanaka Koji

  Information Technology R&d Center

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 山中 宏治

  三菱電機 情報技総研

• 平野 嘉仁

  三菱電機株式会社

• 平野 嘉仁

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 井上 晃

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社

• 山中 宏治

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 井上 晃

  三菱電機株式会社

• 山中 宏治

  三菱電機

• 桑田 英悟

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 大塚 浩志

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 大塚 浩志

  三菱電機株式会社

• 大塚 浩志

  三菱電機

• 中山 正敏

  三菱電機

• 山中 宏治

  三菱電機(株)

• 井上 晃

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 桐越 祐

  三菱電機(株)通信機製作所

• 桐越 祐

  三菱電機 通信機製作所

• 平野 嘉仁

  三菱電機(株)

• 桑田 英悟

  三菱電機株式会社

• 半野 嘉仁

  三菱電機株式会社

• 内田 浩光

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 内田 浩光

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 中山 正敏

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 中山 正敏

  三菱電機(株)

• 桐越 祐

  三菱電機株式会社

• 内田 浩光

  三菱電機株式会社

• 茶木 伸

  三菱電機株式会社

• 茶木 伸

  三菱電機

• 大石 敏之

  三菱電機(株)

• 大石 敏之

  三菱電機株式会社

• 湯之上 則弘

  三菱電機(株)通信機製作所

• 小山 英寿

  三菱電機株式会社

• 小山 英寿

  三菱電機(株)高周波光デバイス製作所

• Inoue Akira

  Information Technology R&d Center

• 大石 敏之

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 宮崎 守泰

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 宮崎 守泰

  三菱電機株式会社

• 宮崎 守泰

  三菱電機(株)

• 宮崎 守泰

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 山内 和久

  三菱電機株式会社

• 井上 晃

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 山内 和久

  三菱電機

• 茶木 伸

  三菱電機(株)電子システム研究所

• 宮崎 守泰

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• Angelov I.

  Chalmers工科大

• Angelov Iltcho

  Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U

• Angelov Iltcho

  Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U

• 宮本 恭幸

  東京工業大学

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 能登 一二三

  三菱電機(株)

• 大石 敏行

  三菱電機株式会社

• Noto Hifumi

  Information Technology R&d Center

• 能登 一二三

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 半谷 政毅

  三菱電機株式会社

• 水谷 浩之

  三菱電機株式会社

• 半谷 政毅

  三菱電機情報技術総合研究所

• 湯之上 則弘

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 湯川 秀憲

  三菱電機株式会社

• 能登 一二三

  三菱電機株式会社

• Thorsell Mattias

  Chalmers University of Technology

• Andersson Kristoffer

  Chalmers University of Technology

• 西原 淳

  三菱電機株式会社

• 内海 博三

  三菱電機株式会社

• 湯川 秀範

  三菱電機株式会社

• YAMANAKA Koji

  Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation

• 平野 嘉仁

  三菱電機 先端技総研

• Andersson Kristoffer

  Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U

• Thorsell Mattias

  Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U

• 前原 宏昭

  三菱電機株式会社

• 湯之上 則弘

  三菱電機株式会社

• 森 一富

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 金谷 康

  三菱電機株式会社

• 後藤 清毅

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 野上 洋一

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 森 一富

  三菱電機株式会社

• 河合 邦浩

  NTTドコモ

• 河合 邦浩

  (株)NTTドコモ

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社

• 南條 拓真

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 柳生 栄治

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• MORI Kazutomi

  Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation

• 安部 素実

  三菱電機株式会社

• 柳生 栄治

  三菱電機株式会社

• 森本 卓男

  三菱電機株式会社

• 両川 勇武

  三菱電機株式会社

• Angelov Iltcho

  Chalmers University of Technology

• Andersson Kristoffer

  Chalmers Univ. Of Technol. Goeteborg Swe

• Thorsell Mattias

  Chalmers Univ. Of Technol. Goeteborg Swe

• 安部 素実

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 安部 素実

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• YAMAUCHI Kazuhisa

  Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation

• 津山 祥紀

  三菱電機株式会社

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 大塚 浩志

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• Ikeda Y

  Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&d Center

• Ikeda Y

  Mitsubishi Electric Corp. Kamakura‐shi Jpn

• Mori K

  Information Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation

• 南條 拓真

  三菱電機

• Takagi T

  Optical Interconnection Sumiden Laboratory Rwcp

• 大塚 浩治

  三菱電機株式会社

• Yamamoto K

  Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&d Center

• Mori Kazutomi

  Information Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation

• TAKAGI Tadashi

  Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation

• Mori Kensaku

  Faculty of Engineering, Nagoya University Graduate School

• 堀井 康史

  関西大学 総合情報学部

• Yamanaka Kazunori

  Fujitsu Limited & Fujitsu Laboratories Ltd.

• 後藤 清毅

  三菱電機株式会社

• Hieda Morishige

  Information Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation

• 廣田 明道

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 廣田 明道

  三菱電機(株)

• Takagi T

  Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University

• Takagi T

  It-21 Center Research Institute Of Electrical Communications Tohoku University

• NAKAYAMA Masatoshi

  Information Technology R & D Center, Mitsubishi Electric Corporation

• IYAMA Yoshitada

  Micro Device Manufacturing Department, Kamakura Works, Mitsubishi Electric Corporation

• Takagi Tadashi

  Information Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation

• Iyama Y

  Kamakura Works Mitsubishi Electric Corporation

• Oishi Toshiyuki

  Information Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation

• Yamanaka Koji

  Fujitsu Limited & Fujitsu Laboratories Ltd.

• 柳生 栄治

  三菱電機

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

• Angelov Iltcho

  Chalmers Univ. Of Technol. Goeteborg Swe

• 小坂 尚希

  三菱電機株式会社

• 山口 裕太郎

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• THORSELL Mattias

  GHz Centre, Dep. of Microtechnology and Nanoscience (MC2), Microwave Electronics Laboratory, Chalmer

• ANDERSSON Kristoffer

  GHz Centre, Dep. of Microtechnology and Nanoscience (MC2), Microwave Electronics Laboratory, Chalmer

• INOUE Akira

  Information Technology R&D Center

• NOTO Hifumi

  Information Technology R&D Center

• 陳 春平

  神奈川大

• 堀井 康史

  関西大 工技研

• Miyamoto Yasuyuki

  Department Of Electrical And Electronic Engineering

• Yamauchi Kazuhisa

  Information Technology R&d Center Mitsubishi Electric Corporation

• Hieda Morishige

  Information Technol. Res. And Dev. Center Mitsubishi Electric Corp.

• 井上 晃

  Information Technology R&d Center

• 河合 邦浩

  株式会社nttドコモ 先進技術研究所

• 山口 裕太郎

  三菱電機株式会社

• 南條 拓真

  三菱電機株式会社

• 桑田 英悟

  三菱電機

• 平野 嘉仁

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• ポカレル ラメシュ

  九州大

• 廣田 明道

  三菱電機

• 野上 洋一

  三菱電機株式会社

• Hayashi Kazuo

  Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation, Kamakura, Kanagawa 247-8501, Japan

• Miyamoto Yasuyuki

  Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, Meguro, Tokyo 152-8552, Japan

• Yamaguchi Yutaro

  Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation, Kamakura, Kanagawa 247-8501, Japan

• Otsuka Hiroshi

  Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation, Kamakura, Kanagawa 247-8501, Japan

• Hayashi Kazuo

  Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation, Kamakura, Kanagawa 247-8501, Japan

• Otsuka Hiroshi

  Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation, Kamakura, Kanagawa 247-8501, Japan

• Oishi Toshiyuki

  Information Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corporation, Kamakura, Kanagawa 247-8501, Japan

• 平野 嘉仁

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

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著作論文

• 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例(MSTセッション)
• C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例
• C-2-102 高速移動体通信システム用ミリ波モジュール(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
• C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器
• C-2-33 GaN HEMTの半物理的な非線形モデルの提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-22 対向インラインスタブを用いた高調波処理による内部整合FETの高効率化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-2 固有伝送モードを用いた大信号発振解析法(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例(MSTセッション)
• CI-1-8 ミリ波高速移動体通信用チップセット(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
• C-10-4 GaN HEMTにおけるGaNバッファ層中トラップの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-2-38 動的負荷線測定に基づいたGaN HEMT大信号モデル(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-37 C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-3 固有伝送モードを用いた発振解析法の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• C-2-27 出力容量を考慮した設計による広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 出力容量を考慮した設計による増幅器の広帯域化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器
• C-2-23 半物理的な非線形モデルの高周波特性計算(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-22 半物理的な非線形モデルによるデバイス構造検討手法の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-21 X帯55W内部整合GaN-FET : BPF設計思想に基づく広帯域インピーダンス整合回路(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-20 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-19 5.8GHz高調波整合型内部整合GaN高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 出力容量を考慮した設計による増幅器の広帯域化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• A Large-Signal Simulation Program for Multi-Stage Power Amplifier Modules by Using a Novel Interpolation
• C-2-9 入出力ともに2倍波処理したX帯高効率内部整合GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-13 GaN広帯域増幅器に対する一考察(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• On the Large Signal Evaluation and Modeling of GaN FET
• 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
• 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
• C-10-7 緑色光照射時の等価回路パラメータ測定によるGaN HEMTのトラップ解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-2-65 結合線路と伝送線路の並列接続からなる能動回路向け高調波処理回路(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス,一般セッション)
• C-2-24 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
• C-2-15 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
• 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
• 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器
• 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• 小型PKGを用いた120WX帯GaN増幅器(マイクロ波一般,学生研究会/マイクロ波一般)
• 方向性結合器と反射回路からなる損失性インピーダンス整合回路の基礎検討 (エレクトロニクスシミュレーション)
• C-2-30 小型PKGを用いた120W X帯GaN増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-29 並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-21 330W出力62%電力付加効率S帯内部高調波整合型GaN FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-12 C帯高効率GaN HEMT発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-10-3 GaN HEMTのソース・ドレイン間容量のデバイスシミュレーションによる解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-2 デバイスシミュレーションによるGaN HEMTのゲートリークの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• GaN増幅器の高効率・広帯域回路技術
• S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT 高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化
• 並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器(一般)
• 2011年ヨーロッパマイクロ波会議出席報告(IEEE MTT-S Japan Chapter特別講演)
• 高調波整合による100W超出力GaN高出力増幅器の効率向上についての検討(一般)
• Mechanism Study of Gate Leakage Current for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor Structure Under High Reverse Bias by Thin Surface Barrier Model and Technology Computer Aided Design Simulation

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