小型PKGを用いた120WX帯GaN増幅器(マイクロ波一般,学生研究会/マイクロ波一般)
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概要
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本論文では小型PKGを用いたX帯120W内部整合GaN高出力増幅器(HPA)の開発を報告する.レーダー用途のGaN-HPAは送信機モジュール小型化・高性能化の観点から小型で高出力である事が求められる.そこで,内部整合回路に誘電率Er=90の高誘電率基板を採用することで,回路基板の小型化を行った.また,発熱を考慮した電流密度を見積もることで,高出力化が可能な最適ドレイン電圧が30〜40Vの間にある事を見出した.検討結果に基づいて試作を行い,PKG寸法12.9mm×21.0mm,周波数9.6GHzで出力120Wの小型で高出力な内部整合GaN-HPAを開発した.
- 2011-10-13
著者
-
内田 浩光
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
山中 宏治
三菱電機 情報技総研
-
山中 宏治
三菱電機株式会社
-
山中 宏治
三菱電機
-
内田 浩光
三菱電機株式会社
-
内田 浩光
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
西原 淳
三菱電機株式会社
-
内海 博三
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社
-
Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
-
前原 宏昭
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機
-
大塚 浩志
三菱電機
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