中山 正敏 | 三菱電機株式会社
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概要
関連著者
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中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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山中 宏治
三菱電機株式会社
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山内 和久
三菱電機株式会社
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山内 和久
三菱電機
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大塚 浩志
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機 情報技総研
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山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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堀口 健一
三菱電機株式会社
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社
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森 一富
三菱電機株式会社
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池田 幸夫
島田理化工業株式会社
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平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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高木 直
三菱電機株式会社
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池田 幸夫
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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森 一富
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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内田 浩光
三菱電機株式会社
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内田 浩光
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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井上 晃
三菱電機株式会社
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三井 康郎
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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三井 康郎
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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山中 宏治
三菱電機
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能登 一二三
三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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内田 浩光
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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大石 敏之
三菱電機株式会社
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伊藤 康之
三菱電機株式会社
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半野 嘉仁
三菱電機株式会社
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伊東 康之
三菱電機株式会社
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金谷 康
三菱電機株式会社
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湯川 秀憲
三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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中原 和彦
三菱電機株式会社
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山本 和也
三菱電機株式会社
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伊藤 康之
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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茶木 伸
三菱電機株式会社
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大石 敏之
三菱電機(株)
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高木 直
東北大学電気通信研究所
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能登 一二三
三菱電機(株)
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社
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弥政 和宏
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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酒井 雄二
三菱電機株式会社
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弥政 和宏
三菱電機株式会社
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桑田 英悟
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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石田 修己
韓国情報通信大学工学部
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石田 修己
三菱電機株式会社
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石田 修己
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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垂井 幸宣
三菱電機株式会社
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宮本 恭幸
東京工業大学
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千田 晴康
三菱電機株式会社
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塚原 良洋
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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半谷 政毅
三菱電機株式会社
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山本 和也
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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吉井 泰
三菱電機株式会社
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桑田 英悟
三菱電機株式会社
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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塚原 良洋
三菱電機株式会社
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末松 憲治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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末松 憲治
三菱電機株式会社
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幸丸 竜太
三菱電機株式会社
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檜枝 護重
三菱電機株式会社
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久留須 整
三菱電機高周波光デバイス製作所
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礒田 陽次
三菱電機株式会社
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磯田 陽次
三菱電機株式会社
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宮下 美代
三菱電機株式会社
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久留須 整
三菱電機株式会社光マイクロ波統括事業部
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半谷 政毅
三菱電機情報技術総合研究所
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遠藤 邦浩
三菱電機株式会社
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新居 眞敏
三菱電機株式会社
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森本 卓男
三菱電機株式会社
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山内 和久
三菱電機(株)
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戸谷 一幸
三菱電機株式会社 通信機製作所
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遠藤 邦浩
三菱電機株式会社 鎌倉製作所
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戸谷 一幸
三菱電機株式会社
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津山 祥紀
三菱電機株式会社
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久留須 整
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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松塚 隆之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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吉田 直人
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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鈴木 敏
三菱電機
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鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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宇土元 純一
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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檜枝 護重
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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桐越 祐
三菱電機株式会社
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宇土元 純一
三菱電機高周波光デバイス製作所
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鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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鈴木 敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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西原 淳
三菱電機株式会社
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杉山 茂
三菱電機株式会社
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吉田 直人
三菱電機高周波光デバイス製作所
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吉田 直人
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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吉田 直人
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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門脇 直人
独立行政法人情報通信研究機構
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亀田 卓
東北大学電気通信研究所
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坪内 和夫
東北大学電気通信研究所
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山中 宏治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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桐越 祐
三菱電機(株)通信機製作所
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石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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岡村 敦
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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門脇 直人
郵政省通信総合研究所
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高木 直
三菱電機
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渡辺 伸介
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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天清 宗山
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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松永 直子
三菱電機株式会社
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山口 真美子
三菱電機株式会社
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小川 喜之
三菱電機高周波光デバイス製作所
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後藤 清毅
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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奥 友希
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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荒木 恒彦
郵政省通信総合研究所
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林 亮司
三菱電機株式会社
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湯之上 則弘
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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亀田 卓
東北大学 電気通信研究所
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坪内 和夫
東北大学 電気通信研究所
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小川 二良
島田理化工業株式会社
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小川 喜之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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前村 公正
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所開発部
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石川 高英
三菱電機
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石川 高英
三菱電機株式会社
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富山 賢一
三菱電機株式会社
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棚橋 直樹
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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石川 高英
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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小倉 健太郎
三菱電機株式会社
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末松 憲治
東北大学電気通信研究所
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大石 敏行
三菱電機株式会社
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岡村 敦
三菱電機株式会社情報総合研究所
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天清 宗山
三菱電機株式会社
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棚橋 直樹
三菱電機株式会社
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檜枝 護重
三菱電機株式会社 モバイルターミナル製作所
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内海 博三
三菱電機株式会社
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前村 公正
三菱電機
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谷口 英司
三菱電機株式会社
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米田 諭
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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津留 正臣
三菱電機株式会社
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大橋 英征
三菱電機株式会社
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三木 正道
三菱電機
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佐々木 善伸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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橘川 雄亮
三菱電機株式会社
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中本 隆博
三菱電機株式会社
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辻 聖一
三菱電機株式会社
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國井 徹郎
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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谷野 憲之
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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小丸 真喜雄
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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北野 俊明
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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浅田 智之
三菱電機株式会社高周波光素子統括部
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紫村 輝之
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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田原 志浩
三菱電機株式会社
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野上 洋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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濱田 倫一
三菱電機株式会社
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村上 哲
三菱電機株式会社
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橘川 雄亮
三菱電機情報技術総合研究所
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橘川 雄亮
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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太田 彰
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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平間 哲也
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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高木 直
東北大学 電気通信研究所
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池松 寛
三菱電機株式会社
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石崎 光範
三菱電機株式会社 生産技術センター
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石原 理
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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南條 拓真
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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池松 寛
三菱電機株式会社通信機製作所
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茂野 大作
島田理化工業株式会社
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早川 達也
島田理化工業株式会社
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宮寺 信夫
島田理化工業株式会社
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紫村 輝之
三菱電機高周波光デバイス製作所
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野谷 佳弘
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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國井 徹郎
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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国井 徹郎
三菱電機株式会社
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國井 徹郎
三菱電機株式会社
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太田 彰
三菱電機株式会社
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平間 哲也
三菱電機株式会社
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三井 茂
三菱電気
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岡村 寛
三菱電機株式会社
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齋藤 正実
三菱電機エンジニアリング株式会社
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岡村 篤司
三菱電機株式会社
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中島 康晴
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
中島 康晴
三菱電機株式会社
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林 一夫
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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米田 諭
三菱電機株式会社
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原田 憲一
三菱電機株式会社通信機製作所
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長野 順一
三菱電機株式会社
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安藤 暢彦
三菱電機株式会社
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片山 秀明
三菱電機株式会社
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尾形 敏一
三菱電機株式会社
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影山 茂己
三菱電機株式会社
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宮崎 守秦
三菱電機株式会社
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宮崎 幸一
三菱電機株式会社
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Angelov I.
Chalmers工科大
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石原 理
三菱電機株式会社
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岡野 亨
日本放送協会 技術局
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辻 聖一
三菱電機
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辻 聖一
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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小倉 恵
三菱電機株式会社鎌倉製作所
-
米田 聡
三菱電機株式会社
-
津山 祥範
三菱電機株式会社
-
西井上 修
三菱電機株式会社
-
田原 志浩
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
望月 満
三菱電機株式会社
-
大塚 浩志
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社
著作論文
- C-2-55 ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-6 高調波負荷整合回路付きW帯2倍波取り出し型発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 高調波負荷を最適化したW帯2倍波高出力発振器
- C-2-33 次世代移動体通信基地局用3-way 200W LDMOSドハティ増幅器(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-1 受動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 能動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-17 GaAs基板上に作製したカプラ付きHBT RF検波回路の基本検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-16 増幅段バイパス型利得切替HBT増幅器に関する検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-2-4 利得平坦化プリマッチ回路を用いたK帯2W MMIC電力増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-30 非対称形状の電力合成器を用いた5GHz帯10W MMIC電力増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- コンデンサ装荷並列ダイオードMMICリニアライザを用いた18GHz帯高出力増幅器の歪補償
- ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ
- ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- C-10-8 ***電流切替回路による低電圧動作HBT電力増幅器の歪み改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-5 HEMTを用いたPDC用0.1cc送信電力増幅器モジュール
- C-2-6 2倍波反射スタブ装荷合成回路によるバランス形増幅器の高効率化の検討(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-30 ドレーンドライブ型送受切り替え方式の受信時損失低減の検討
- C-2-13 C帯CaN HEMT広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- ソースインダクタ装荷簡易型リニアライザによる相互変調歪特性の改善
- ソースインダクタ装荷簡易型リニアライザによる相互変調歪特性の改善
- C-2-24 C帯220W出力GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-23 C帯60W出力GaN HEMT広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-29 セル分割を特徴としたGaN HEMT 1チップ高出力増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- ピーク電力注入によるバランス型増幅器の高効率, 高出力化(マイクロ波シミュレータ/一般/学生会)
- C-2-31 バランス型増幅器のピーク電力注入による高効率化の検討
- C-2-35 PBG構造マイクロストリップフィルタの簡易モデルに関する一検討
- C-2-20 電荷保存則を考慮したFET大信号モデルの検討(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- 薄膜抵抗からなるポスト壁導波路無反射終端器(マイクロ波,EMC,一般)
- 薄膜抵抗からなるポスト壁導波路無反射終端器(マイクロ波,EMC,一般)
- CS-4-9 スイッチ切替による複数の周波数帯で動作可能な帯域可変フィルタ(CS-4.無線回路の広帯域・マルチバンド化技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- CS-4-1 反射波注入法を用いた周波数可変増幅器の広帯域化(CS-4.無線回路の広帯域・マルチバンド化技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-2-22 半物理的な非線形モデルによるデバイス構造検討手法の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-21 X帯55W内部整合GaN-FET : BPF設計思想に基づく広帯域インピーダンス整合回路(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-20 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-19 5.8GHz高調波整合型内部整合GaN高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- ALC制御信号によるリップルが重畳したときの高出力増幅器の出力スペクトラムの計算
- TABテープを用いたUHF帯マルチチップ高出力MMIC増幅器
- セラミック基板を用いた1.9GHz用RFフロントエンドモジュール
- ピーク電力注入によるマイクロ波増幅器の高効率化
- ピーク電力注入によるマイクロ波増幅器の高効率化
- ピーク電力注入によるマイクロ波増幅器の高効率化
- 直列ダイオードリニアライザ装荷型フィードフォワード増幅器
- 直列ダイオードリニアライザ装荷型フィードフォワード増幅器
- 直列ダイオードリニアライザ装荷型フィードフォワード増幅器
- LDMOS FET増幅器の補償に適したバイアス抵抗装荷形直列ダイオードリニアライザ
- 移動体通信用低歪みアクティブカスコードFETミクサの検討
- 低電流・低歪みカスコードFETミクサを用いたPHS用送受信一体化RFフロントエンドMMIC
- 低電流, 低歪みカスコードFETミクサを用いたPHS用送受信一体化RFフロントエンドMMIC
- 高出力増幅器における1/2倍波ループ発振の非線形シミュレーション
- 1.9GHz帯高周波フロントエンド送受信一体化MMIC
- 移動体通信におけるRF系の低電力化
- PHS用RFフロントエンド一体化MMIC
- C-2-13 VHF帯E級高効率増幅器の高調波抑圧(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- ウエイト除算適応アルゴリズムを用いたフィードフォワード増幅器制御方式
- ウエイト除算適応アルゴリズムを用いたフィードフォワード増幅器制御方式
- 小形・広帯域Bridged-T形移相器
- ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- Ka帯6W MMIC電力増幅器
- Ka帯6W MMIC電力増幅器(ミリ波技術,一般)
- コンデンサ装荷並列ダイオードMMICリニアライザを用いた18GHz帯電力増幅器の歪補償
- C-X帯GaAs-MMIC広帯域電力増幅器
- C-X帯GaAs-MMIC広帯域電力増幅器
- C-2-27 C-X帯GaAs-MMIC広帯域電力増幅器
- C-2-20 ロードライン解析によるFETの大信号Sパラメータ計算法
- C-2-45 マルチ給電分配回路を用いたKa帯3W MMIC電力増幅器(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- Ka帯6W MMIC電力増幅器
- C-2-4 Ka帯6W MMIC電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- マルチ給電分配回路を用いたKa帯5W MMIC電力増幅器
- GaNマイクロ波帯増幅器技術 (特集 新しい光・電波技術)
- マイクロ波誘電体フィルタ, 小林禧夫, 鈴木康夫, 古神義則(共著), 電子情報通信学会(2007-03), A5判, 定価(本体4,700円+税)
- C-2-17 40GHz帯カスコードFETにおける出力反射特性の向上(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-15 温度補償バイアス回路内蔵X帯MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-11 Yパラメータ行列式を用いたマイクロ波増幅器の発振解析法(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- 6-18GHz帯GaAs-MMIC広帯域低雑音増幅器(光・電波ワークショップ)
- 6-18GHz帯GaAs-MMIC広帯域低雑音増幅器(光・電波ワークショップ)
- 6-18GHz帯GaAs-MMIC広帯域低雑音増幅器(光・電波ワークショップ)
- 6-18GHz帯GaAs-MMIC広帯域低雑音増幅器(光・電波ワークショップ)
- CS-3-4 端末・小型基地局用電力増幅器の歪補償に適した小型アナログリニアライザ(CS-3.マイクロ波トランジスタ高出力増幅器の現状と今後の展開,シンポジウム)
- C-2-21 低出力時の消費電力低減を図ったゲート電圧制御回路内蔵K帯MMIC電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-15 負の群遅延時間を有する回路による増幅器の群遅延時間短縮に関する検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-6 アクティブゲート電圧制御によるUHF帯ドハティ増幅器の高効率化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-1 高域安定化回路を用いたX帯高利特低雑音MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- アンチパラレル型直列ダイオードリニアライザによる電力増幅器の歪み補償(マイクロ波,超伝導,一般)
- アンチパラレル型直列ダイオードリニアライザによる電力増幅器の歪み補償(マイクロ波,超伝導,一般)
- C-2-12 仮想オープンスタブを用いたOFDM 250W級ドハティ増幅器の高効率化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-18 アンチパラレル型直列ダイオードリニアライザの動作原理に関する検討(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-9 デジタルプレディストータによるドハティ増幅器の歪補償実験(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-29 ドハティ増幅器の周波数・温度特性に対する実験的検討(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- C-2-37 マルチポイント給電合成分配回路を用いた Ka 帯 MMIC 電力増幅器
- マルチビームAPAAにおける増幅器の非線形歪特性改善(光・電波ワークショップ)
- マルチビームAPAAにおける増幅器の非線形歪特性改善(光・電波ワークショップ)
- マルチビームAPAAにおける増幅器の非線形歪特性改善(光・電波ワークショップ)
- マルチビームAPAAにおける増幅器の非線形歪特性改善(光・電波ワークショップ)
- C-2-6 直列ダイオードリニアライザ装荷型フィードフォワード増幅器
- C-2-34 ウエイト除算適応アルゴリズムを用いたUHF帯デジタルプレディストーション増幅器(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- 低電流動作時のFETの不安定動作領域における雑音パラメータの抽出法
- C-2-18 自己バイアスMMIC増幅器用プロセスばらつき補償ゲートバイアス回路の検討
- C-2-69 方形薄膜抵抗を用いたポスト壁導波路無反射終端器(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-9 入出力ともに2倍波処理したX帯高効率内部整合GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-13 GaN広帯域増幅器に対する一考察(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-3 W-CDMAマルチ出力モード対応経路切り替え高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-16 エンベロープ誤差電力導入によるエンベロープトラッキング増幅器の設計法(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-6 アイソレーション極大点探索法によるマルチポートアンプの振幅・位相誤差補償実験(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-56 周波数特性を考慮したフィードフォワード増幅器の非線形解析
- 周波数特性と信号の電力分布を考慮したフィードフォワード増幅器の非線形解析
- 適応型リニアライザのひずみ検出回路特性の検討
- C-2-29 並列キャパシタ装荷ダイオードリニアライザ
- 等経路型リニアライザを用いたL帯低歪みマルチキャリア増幅器
- ソースインダクタ装荷MMIC簡易型リニアライザによる相互変調歪特性の改善
- 並列ダイオードを用いたマイクロ波簡易リニアライザ
- 並列ダイオード装荷による高出力増幅器の高効率化
- FETのI-V特性より入出力位相特性を求める計算法
- 直列ダイオードリニアライザによる隣椄チャンネル漏洩電力特性の改善
- GaAs FETの低電圧,高効率動作時における直流特性の検討
- 温度検出制御回路を用いたフィードフォワード低歪み増幅器の温度補償実験
- ソースインダクタ装荷簡易型リニアライザ
- C-2-36 APAA 用 MMIC 増幅器の利得ばらつきについての検討
- 周波数特性を考慮した増幅器の歪解析法の実験的検証
- 小形・広帯域 Bridged-T 形移相器
- C-10-7 緑色光照射時の等価回路パラメータ測定によるGaN HEMTのトラップ解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-65 結合線路と伝送線路の並列接続からなる能動回路向け高調波処理回路(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス,一般セッション)
- C-2-24 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- C-2-15 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- C-2-16 点対称バランを用いたプッシュプル増幅器の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- C-2-10 外部検波型X帯リミッタの高ダイナミックレンジ化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- ロードプルデータを用いた多段増幅器の非線形特性の計算法
- ロードプルデータを用いた多段増幅器の非線形特性計算プログラム
- 小型PKGを用いた120WX帯GaN増幅器(マイクロ波一般,学生研究会/マイクロ波一般)
- 方向性結合器と反射回路からなる損失性インピーダンス整合回路の基礎検討 (エレクトロニクスシミュレーション)
- C-2-45 コムライン形UHF帯可変帯域通過フィルタ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-31 並列ダイオードリニアライザの位相特性に関する検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-30 小型PKGを用いた120W X帯GaN増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-29 並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-21 330W出力62%電力付加効率S帯内部高調波整合型GaN FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-12 C帯高効率GaN HEMT発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-3 GaN HEMTのソース・ドレイン間容量のデバイスシミュレーションによる解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 デバイスシミュレーションによるGaN HEMTのゲートリークの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- GaN増幅器の高効率・広帯域回路技術
- S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT 高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化
- 並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器(一般)
- 高調波整合による100W超出力GaN高出力増幅器の効率向上についての検討(一般)
- C-2-28 S帯170W/70%パーシャル整合GaN on Si高効率高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-8 フリップチップ実装した60GHz受信フロントエンドCMOS ICの試作(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-72 方向性結合器と負荷レプリカ回路からなる損失性インピーダンス回路(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-17 広帯域高出力多段増幅器におけるゲート幅比の考察(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-11 X帯高耐電力GaNスイッチの低損失化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-26 C帯220W高効率GaN増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-29 トラップを考慮したGaN on Si大信号モデル(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-5 GaN HEMTの電界とゲートドレイン間容量のトレードオフとPAEへの影響についてのシミュレーション解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 方向性結合器と反射回路からなる損失性インピーダンス整合回路の基礎検討(シミュレーション技術,一般)
- C-10-4 トランジスタ動作時におけるGaN HEMTゲートリークのデバイスシミュレーションによる解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- マイクロ波FET増幅器における相互変調歪みのバイアス回路依存性モデルの検討
- 周波数特性を考慮した増幅器の歪解析法
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- マイクロ波FET増幅器におけるバイアス回路と相互変調歪みとの関係に関する一検討
- S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析(半導体材料・デバイス)
- フリップチップ実装した60GHz帯受信フロントエンドCMOS ICの試作
- C-2-90 インターデジタル型結合線路の左手系動作に基づく帯域通過フィルタ組合せ型逆相電力合成分配器(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- CT-1-5 TCADシミュレーションを用いたGaN HEMTの半物理的非線形回路モデル(CT-1.化合物半導体電子デバイスのためのデバイスシミュレーション技術,ソサイエティ企画)
- C-2-35 シャントインダクタを用いた準集中定数整合回路によるX帯GaN高出力増幅器の小型化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス))
- C-2-36 出力電力の周波数特性が平坦な広帯域MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス))
- C-10-6 波形整形理論に基づくGaN HEMT設計手法の提案
- CS-3-2 高周波増幅器の設計におけるシミュレータ利用の実際(CS-3.マイクロ波回路設計におけるシミュレーション技術の応用と将来動向,シンポジウムセッション)
- S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化
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- AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析