低電流動作時のFETの不安定動作領域における雑音パラメータの抽出法
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概要
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移動体通信用の低雑音増幅器においては,低電流動作が求められている.低電流動作時のFETは,反射係数が高くなり,入力側の整合をとることが難しくなる.またL帯などの低周波帯においては,FETの動作が不安定なために,FETの雑音が最小となる電源インピーダンス(Γopt)を直接測定することが難しくなる.今回,動作周波数(f1)より高い周波数(f2)でFETの動作を安定化させた回路と,雑音モデルを使用して,動作周波数(f1)でのΓoptを計算し,測定結果と良い一致が得られたので報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
中原 和彦
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
三井 康郎
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
伊藤 康之
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
三井 康郎
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
伊藤 康之
三菱電機株式会社
-
伊東 康之
三菱電機株式会社
-
小方 規子
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
小方 規子
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社
-
伊東 康之
宇宙開発事業団筑波宇宙センタ
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