出力負荷を考慮した多段ソースインダクタ装荷形S帯2段低雑音MMIC増幅器
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概要
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低雑音増幅器の設計において, FETのソースにインダクタを装荷することにより雑音が最小になるインピーダンスと反射が最小になるインピーダンスを近づける手法は良く知られている.FETのソースにインダクタンスを装荷すると, アイソレーション特性が劣化し, 出力負荷の影響を受ける.本報告では出力負荷を考慮に入れたソースインダクタの値の決定法およびS帯低雑音MMIC増幅器への応用について述べる.
- 1998-07-24
著者
-
中原 和彦
三菱電機株式会社
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
小丸 真喜雄
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
伊藤 康之
三菱電機株式会社
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社
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