Dual Gate HEMTを用いたKa帯高利得・低雑音可変利得MMIC増幅器
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概要
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Ka帯においては衛星通信やパーソナル通信に代表されるシステムの検討がされており、MMlCに代表されるデバイスに対する需要が高まっている。先に我々はQ帯においてDual Gate HEMTを用いた利得制御可能な可変利得増幅器モジュールに関して報告し、Dual Gate HEMTがSingle Gate HEMTと同じプロセスで同時形成できる可能性を示した。今回、我々はKa帯において高利得・低雑音な特性を有するSingle Gate HEMTおよびDual Gate HEMTを用いた3段モノリシック可変利得増幅器を開発し、良好な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
石田 多華生
三菱電機株式会社
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
三井 康郎
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
小丸 真喜雄
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社
-
野谷 佳弘
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
三井 康郎
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社
-
石田 多華生
三菱電機
-
石田 多華生
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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