GaAsプレーナー形ショットキーダイオードのエレクトロマイグレーション耐性
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概要
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マイクロ波・ミリ波の通信用デバイスとして使用されるGaAsプレーナ形ショットキーバリアダイオードは, 高周波特性を満足するためにアノード(ショットキー)配線は, 細線化を要求されている. このため入力されるRF電力によって発生する整流電流の電流密度は, 0.5μm幅ほどのアルミ配線において1×10^6A/cm^2以上にも及ぶ. そこで, このようなショットキーバリアダイオードにおけるエレクトロマイグレーションの電流密度及び温度加速性を評価した. この結果, 従来のAl配線より寿命が長いことを確認した. これは, 微細配線効果やマルチレイヤー構造を用いていることによると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-15
著者
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
吉田 直人
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
小丸 真喜雄
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
矢嶋 孝太郎
三菱電機(株)半導体基盤技術統括部
-
柏 卓夫
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
佐々木 肇
三菱電機(株)半導体基盤技術統括部
-
水口 澄
三菱電機(株)半導体基盤技術統括部
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
吉田 直人
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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