選択ウエットエッチングによるGaAs/AlGaAs HFETの高均一化と高性能化
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概要
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クエン酸/アンモニア/過酸化水素から構成されるGaAsのAlGaAsに対する新しい選択エッチャントを開発した。本エッチャントのpHおよびクエン酸/H_2O_2の混合比を最適化することにより, 低Al組成のAl_<0.15>Ga_<0.85>Asに対して極めて高い選択比80を達成するとともに、GaAs異方性エッチングも実現した。このクエン酸系選択エッチャントをGaAs/AlGaAs HFETのゲートリセスに適用し、3インチウエハ面内でトレイン電流の標準偏差を3.5mA(平均値35.3mA)と良好な均一性を実現した。さらにGaAs異方性エッチングによるリセス幅低減により、ソース抵抗を従来の選択ウエットエッチャントと比較して大幅に低減でき、最小雑音指数の向上を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-09
著者
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柏 卓夫
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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北野 俊明
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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戸塚 正裕
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
園田 琢二
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
北野 俊明
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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