GaAs-FETゲート部に対するUV&オゾン酸化と追加ECRプラズマ窒化の効果(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
5種類の条件で同一パターンのGaAs-FETを試作し比較した。ショットキーゲートFET、ゲート部分を酸化してからゲート金属を形成したもの(MOSFET)、同様に酸化した後更にECRプラズマで窒化してからゲート金属を形成したもの(MISFET)で、窒化は3条件に分けてある。最大ドレイン電流はMOSFETが最も大きく、次いでショットキーFETで、MISFETでは窒化時間が長いほど小さくなった。最大相互コンダクタンスは窒化時間が長いほど大きく、またピンチオフゲート電圧は負であるが窒化時間が長いほど大幅に正方向に変化した。ショットキーゲートFETと今回試作したMISFETはゲートの順方向電流電圧特性が同等で、GaAs酸窒化膜の電流阻止機能は極めて弱い。各々のサンプルは3インチウエハ内で均一な特性分布を示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-03
著者
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻
-
日坂 隆行
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
日坂 隆行
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科機能開発科学
-
戸塚 正裕
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科
-
藤農 佑樹
金沢大学大学院自然科学研究科
-
瀬戸 大樹
金沢大学大学院自然科学研究科
-
相原 育貴
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
飯山 宏一
金沢大学理工研究域
-
相原 育貴
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
高宮 三郎
金沢大学大学院 自然科学研究科
関連論文
- AlGaAs/InGaAs PHEMTの劣化メカニズム(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- (190)創成科目「電気電子システム設計」「自主課題研究」の取組み(セッション55 創成教育VIII)
- GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- AlGaAs/InGaAs PHEMTの大信号動作時の劣化機構 : 高電界による半導体表面劣化(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- 計測器向け7.0ps分解能GaAsディジタル可変遅延マクロセル
- メッシュ状エアブリッジを用いたディジタル可変遅延マクロセル搭載GaAs 100Kgatesゲートアレイ
- ディジタル可変遅延マクロセル搭載可能GaAs 100K gateゲートアレイ
- Agイオン交換法によるEr/Yb共ドープ光導波路型光増幅器の作製とその光増幅特性
- 選択ウエットエッチングによるGaAs/AlGaAs HFETの高均一化と高性能化
- 卒業研究達成度評価の実施
- (59)卒業研究達成度評価実施例(第16セッション 教育評価・自己点検・評価システム(I))
- 酸化InAlAs層をゲート絶縁膜とするディップレッション/エンハンスメント型InAiAs/InGaAs MOSHEMTの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 酸化膜および酸窒化膜GaAs MISFETの試作とその特性比較(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 直接酸化によるnmオーダの極薄膜を絶縁膜とするGaAs-MISFETとInAlAs/InGaAs-MISHEMTの試作
- MIS/Schottkyダイオードによる酸化、窒化、酸窒化(100)GaAs表面の電気特性評価
- Siの選択酸化プロセスを用いたSi細線光導波路の作製(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- IT利用学生・教員コミュニケーションシステムの開発と活用
- GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするnチャネルpチャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作(半導体材料・デバイス)
- Alレジスト膜による新プロセスで形成した酸窒化ゲート絶縁膜GaAs-MISFET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaAs-FETゲート部に対するUV&オゾン酸化と追加ECRプラズマ窒化の効果(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- EDFを組み込んだブリルアン光ファイバレーザの発振特性(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
- 横型フォトダイオードを光検出部とするInP/InGaAsヘテロ接合2端子フォトトランジスタの試作(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
- (98)卒業研究の達成度評価法(第2報)(セッション28 教育評価・自己点検・評価システムIV)
- GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするn-チャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaAs (100) Ga面への酸素・窒素吸着による表面歪み : 分子軌道計算による評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- SC-11-8 金属-半導体-金属構造による高速光検出器の検討
- 酸化、窒化、酸窒化した(100)GaAs表面のAFM、TEM、XPS、ホトルミネッセンスによる評価
- (100)n-GaAs表面の酸化・窒化・酸窒化の効果
- 第一原理計算による(100)InP表面の電子状態解析
- ED2000-105 Si上極薄SiO_2膜の膜厚とSEM像輝度の関係
- GaAs IC Au配線におけるエレクトロマイグレーション
- GaAsゲートアレイ用デジタル可変遅延マクロセルの開発
- ディジタル可変遅延回路マクロセル搭載可能 GaAs 10KゲートGate Array
- 計測器向け7.0ps分解能GaAsディジタル可変遅延マクロセル
- 計測器向け7.0ps分解能GaAsディジタル可変遅延マクロセル
- メッシュ状エアブリッジを用いたディジタル可変遅延マクロセル搭載GaAs 100Kgatesゲートアレイ
- メッシュ状エアブリッジを用いたディジタル可変遅延マクロセル搭載GaAs 100Kgatesゲートアレイ
- GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- AlGaAs/InGaAs PHEMTの大信号動作時の劣化機構 : 高電界による半導体表面劣化(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- MEMSを用いた方向性結合器型光スイッチング素子の有限要素法解析 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- MEMSを用いた方向性結合器型光スイッチング素子の有限要素法解析(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- MEMSを位相制御器としたマッハ・ツェンダ干渉型光スイッチ素子の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- MEMSを位相制御器としたマッハ・ツェンダ干渉型光スイッチ素子の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- (100)n-GaAs表面の酸化・窒化・酸窒化の効果
- ED2000-99 カルコゲン元素が吸着したGaAs(100)表面の電子状態解析
- ブリルアン/エルビウム光ファイバレーザの構成と発振特性
- ブリルアン / エルビウム光ファイバレーザの発振特性
- 2.4GHz帯無線LAN用低電圧動作GaAs送受信一体化MMIC
- 76GHz帯ミリ波レーダー用低雑音ハーモニックミキサMMIC(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- 76GHz帯ミリ波レーダー用低雑音ハーモニックミキサMMIC(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
- C-3-26 VCSELを用いた高分解能FMCWセンシングシステム(光記録・計測(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- GaAs IC Au配線におけるエレクトロマイグレーション
- GaAs IC Au配線におけるエレクトロマイグレーション
- C-2-3 94GHz 帯4逓倍型ハーモニックミキサMMIC
- 94GHz帯4逓倍型ハーモニックミキサMMIC
- 94GHz帯4逓倍型ハーモニックミキサMMIC
- 方形波重畳三角波変調による半導体レーザの線形光周波数掃引とそのFMCWリフレクトメトリへの応用
- 方形波重畳三角波変調による半導体レーザの線形光周波数掃引とそのFMCWリフレクトメトリへの応用
- 波長可変周波数シフト帰還型光ファイバレーザによる光ファイバの波長分散測定
- 周波数シフト帰還型光ファイバレーザによる光ファイバの群速度分散測定
- コヒーレントOFDRによるErドープ光ファイバ増幅器の利得分布測定
- 外部共振器レーザを用いた光ファイバ診断用FMCWリフレクトメトリ
- ED2000-97 Schottky/MIS境界領域における接合の電流電圧特性
- 最大エントロピーを用いた高分解能FMCWリフレクトメトリ(第2報)
- 電界イオン交換法によるErドープガラス光導波路の作製
- 高周波デバイスの高電界・高湿度環境下における劣化メカニズムと信頼性改善 (特集 高周波・光デバイス)
- 卒業研究達成度評価の実施
- 同期サンプリングFMCWリフレクトメトリの測定可能距離延長
- アモルファスシリコン光導電素子の周波数応答(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- 多結晶シリコン光導電素子の周波数応答(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 非晶質PETを用いた低損失有機光導波路(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 垂直入射型Si光検出器と光導波路の集積化に向けた導波路型回折格子結合器の解析(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- CMOSプロセスで作製した正孔注入方式APDの青色波長帯における特性評価(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 0.35μm BiCMOSプロセスで作製したSiフォトダイオードのGHz応答(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 0.35μm BiCMOSプロセスで作製したSiフォトダイオードのGHz応答(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- GaAs基板上メタモルフィックInAlAsによるMSM型光検出器のGHz応答(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 標準CMOSプロセスで作製したアバランシェ光検出器の高速応答特性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- BCB貼付け法によるSi基板上MSM型InGaAs光検出器のGHz応答(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- CMOSプロセスで作製した正孔注入方式APDの青色波長帯における特性評価
- Si/SiO_2曲線方向性結合器を用いた結合特性の波長依存性低減(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))