瀬戸 大樹 | 金沢大学大学院自然科学研究科

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概要

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• 金沢大学大学院自然科学研究科の論文著者

関連著者

• 飯山 宏一

  金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻

• 高宮 三郎

  金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻

• 高宮 三郎

  金沢大学大学院自然科学研究科機能開発科学

• 飯山 宏一

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 瀬戸 大樹

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 飯山 宏一

  金沢大学理工研究域

• 飯山 宏一

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 高宮 三郎

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 藤農 佑樹

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 日坂 隆行

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 日坂 隆行

  三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 戸塚 正裕

  三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

• ポール ナラヤン・チャンドラ

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 武部 正英

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 武部 正英

  金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻

• 為頭 美斗子

  金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻

• ポール ナラヤン

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 相原 育貴

  三菱電機(株)高周波光デバイス製作所

• 宮村 悟史

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 猪熊 孝夫

  金沢大学大学院自然科学研究科

• ナラヤン・チャンドラ ポール

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 相原 育貴

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• ポール ナラヤン

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 武部 正英

  金沢大学大学院 自然科学研究科

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著作論文

• Alレジスト膜による新プロセスで形成した酸窒化ゲート絶縁膜GaAs-MISFET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• GaAs-FETゲート部に対するUV&オゾン酸化と追加ECRプラズマ窒化の効果(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• GaAs (100) Ga面への酸素・窒素吸着による表面歪み : 分子軌道計算による評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

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