高宮 三郎 | 金沢大学大学院自然科学研究科機能開発科学

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概要

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関連著者

• 高宮 三郎

  金沢大学大学院自然科学研究科機能開発科学

• 高宮 三郎

  金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻

• 高宮 三郎

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 飯山 宏一

  金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻

• 飯山 宏一

  金沢大学理工研究域

• 飯山 宏一

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 飯山 宏一

  金沢大学大学院自然科学研究科

• ポール ナラヤン・チャンドラ

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 武部 正英

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 武部 正英

  金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻

• ポール ナラヤン

  金沢大学大学院自然科学研究科

• ナラヤン・チャンドラ ポール

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 武部 正英

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 猪熊 孝夫

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 中村 一樹

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 為頭 美斗子

  金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻

• 瀬戸 大樹

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 手塚 大介

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 葛西 悠葵

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 山田 実

  金沢大学工学部

• 北川 章夫

  金沢大学工学部

• 山田 実

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 山田 実

  金沢大学工学部電気電子システム工学科

• 高宮 三郎

  金沢大学工学部

• 山村 要一

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 藤農 佑樹

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 金川 秀也

  武蔵工業大学工学部

• 金川 秀也

  武蔵工業大学

• 佐々木 公洋

  金沢大学工学部

• 米沢 保人

  石川県工業試験場

• 日坂 隆行

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 日坂 隆行

  三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 戸塚 正裕

  三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 飯山 宏一

  金沢大学工学部電気情報工学科

• 金川 秀也

  金沢大学工学部

• ナラヤン チャンドラ・ポール

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 奈須野 雅明

  金沢大学大学院自然科学研究科

• ポーノレ ナラヤン・チャンドラ

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 飯山 宏一

  金沢大学工学部

• チャンドラ ポール

  金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻

• 相原 育貴

  三菱電機(株)高周波光デバイス製作所

• 出村 文宏

  金沢エンジニアリングシステムズ(株)

• 鄭 太雄

  金沢大学大学院自然科学研究科

• ポール ナラヤ・チャンドラ

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 宮村 悟史

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 芦田 順也

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 東嶺 孝一

  北陸先端科学技術大学院大学

• 大塚 信雄

  北陸先端科学技術大学院大学

• ナラヤン・チャンドテ ポール

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 北 幸宏

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 北川 章夫

  金沢大学

• 北川 章夫

  金沢大学工学部情報システム工学科

• 山村 要一

  金沢大学工学部電気電子システム工学科

• 相原 育貴

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 太田 陽介

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 橋本 松進

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 大塚 信雄

  北陸先端科学技術大学院大

• 北川 章夫

  金沢大

• ポール ナラヤン

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 鄭 太雄

  金沢大学大学院 自然科学研究科

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著作論文

• (59)卒業研究達成度評価実施例(第16セッション 教育評価・自己点検・評価システム(I))
• 酸化InAlAs層をゲート絶縁膜とするディップレッション/エンハンスメント型InAiAs/InGaAs MOSHEMTの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 酸化膜および酸窒化膜GaAs MISFETの試作とその特性比較(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 直接酸化によるnmオーダの極薄膜を絶縁膜とするGaAs-MISFETとInAlAs/InGaAs-MISHEMTの試作
• MIS/Schottkyダイオードによる酸化、窒化、酸窒化(100)GaAs表面の電気特性評価
• GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするnチャネルpチャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作(半導体材料・デバイス)
• Alレジスト膜による新プロセスで形成した酸窒化ゲート絶縁膜GaAs-MISFET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• GaAs-FETゲート部に対するUV&オゾン酸化と追加ECRプラズマ窒化の効果(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• EDFを組み込んだブリルアン光ファイバレーザの発振特性(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
• 横型フォトダイオードを光検出部とするInP/InGaAsヘテロ接合2端子フォトトランジスタの試作(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
• GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするn-チャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• GaAs (100) Ga面への酸素・窒素吸着による表面歪み : 分子軌道計算による評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• SC-11-8 金属-半導体-金属構造による高速光検出器の検討
• 酸化、窒化、酸窒化した(100)GaAs表面のAFM、TEM、XPS、ホトルミネッセンスによる評価
• (100)n-GaAs表面の酸化・窒化・酸窒化の効果
• ED2000-105 Si上極薄SiO_2膜の膜厚とSEM像輝度の関係
• (100)n-GaAs表面の酸化・窒化・酸窒化の効果
• ED2000-99 カルコゲン元素が吸着したGaAs(100)表面の電子状態解析
• ED2000-97 Schottky/MIS境界領域における接合の電流電圧特性
• 卒業研究達成度評価の実施

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