中村 一樹 | 金沢大学大学院自然科学研究科

スポンサーリンク

概要

• 中村 一樹の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 金沢大学大学院自然科学研究科の論文著者

関連著者

• 飯山 宏一

  金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻

• 高宮 三郎

  金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻

• 高宮 三郎

  金沢大学大学院自然科学研究科機能開発科学

• 中村 一樹

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 飯山 宏一

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 飯山 宏一

  金沢大学理工研究域

• 飯山 宏一

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 高宮 三郎

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 武部 正英

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 武部 正英

  金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻

• 武部 正英

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• ポール ナラヤン・チャンドラ

  金沢大学大学院自然科学研究科

• ポール ナラヤン

  金沢大学大学院自然科学研究科

• ナラヤン・チャンドラ ポール

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• ナラヤン チャンドラ・ポール

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 奈須野 雅明

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 山村 要一

  金沢大学大学院自然科学研究科

• ポーノレ ナラヤン・チャンドラ

  金沢大学大学院自然科学研究科

もっと見る 閉じる

著作論文

• 酸化InAlAs層をゲート絶縁膜とするディップレッション/エンハンスメント型InAiAs/InGaAs MOSHEMTの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 酸化膜および酸窒化膜GaAs MISFETの試作とその特性比較(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 直接酸化によるnmオーダの極薄膜を絶縁膜とするGaAs-MISFETとInAlAs/InGaAs-MISHEMTの試作
• MIS/Schottkyダイオードによる酸化、窒化、酸窒化(100)GaAs表面の電気特性評価

スポンサーリンク