直接酸化によるnmオーダの極薄膜を絶縁膜とするGaAs-MISFETとInAlAs/InGaAs-MISHEMTの試作
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概要
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UV&オゾン処理により形成した、nmオーダの酸化膜をゲート絶縁膜として利用し、リセスゲート構造のGaAs MISFErsおよびInAlAs/InGaAs-MISHEMTsの試作を行った。UV&オゾン処理では酸化膜厚は処理時間の平方根に比例した膜厚が形成され、酸化処理時間480分でおよそ10mm形成される。酸化膜は、リーク電流の抑制効果があるので、フラットバントを越える順方向ゲートバイアスを可能にする。試作したGaAs MISFETではゲート長1μmのもので、相互コンダクタンス50mS/mm、電流利得遮断周波数,6GHzが得られた。InAlAs/InGaAsMISHEMTではゲート長1.5μmで最大250mS/mmのものが得られた。調としてはフラットバンド電圧近傍において、相互コンダクタンスが減少すること、電流電圧特性に大きなヒステリシスが現れることなどが残る。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-23
著者
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科機能開発科学
-
中村 一樹
金沢大学大学院自然科学研究科
-
奈須野 雅明
金沢大学大学院自然科学研究科
-
山村 要一
金沢大学大学院自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学理工研究域
-
飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
高宮 三郎
金沢大学大学院 自然科学研究科
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