ED2000-105 Si上極薄SiO_2膜の膜厚とSEM像輝度の関係
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概要
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Siウエハ上に極薄SiO_2膜をストライプ状に形成したSiウエハをSEMで観察すると、SiO_2部分は明るく見え、むき出しのSi部分は暗く見える。SiO_2膜厚が極薄である場合には、この輝度差は膜厚の増加に従い大きくなる。この現象を利用して、SEM画像の輝度差を膜厚測定に使えるか否かを判定するため、UV&Ozone法と熱酸化法を使って作製したSiO_2/Siウエハについて、我々はAFMとellipsometryで測定したSiO_2膜厚と、SEMの輝度差の関係を調べた。その結果、SiO_2膜が70Åより薄い範囲ではSEMの輝度差は膜厚に比例するが、それ以上の膜厚ではSEMの輝度差は飽和することが分かった。SiとSiO_2からの2次電子放出に関する既知のエスケープデプスや放出強度との関連についても述べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-07-21
著者
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科機能開発科学
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科
-
葛西 悠葵
金沢大学大学院自然科学研究科
-
北 幸宏
金沢大学大学院自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学理工研究域
-
飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
高宮 三郎
金沢大学大学院 自然科学研究科
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