0.35μm BiCMOSプロセスで作製したSiフォトダイオードのGHz応答(アクティブデバイスと集積化技術,一般「材料デバイスサマーミーティング」)
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概要
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現在,集積回路の更なる高速化,低消費電力化に向けて,集積回路と光デバイスの集積化の研究が進められている.この集積化に向け,0.35um BiCMOSプロセスにてSi-PDを作製し,波長650nmでの特性を評価した.作製したSi-PDは,帯域を悪化させる深部発生キャリアをキャンセルする構造が設けられ,この構造の有無による特性比較を行った.また,同じ構造を持つCMOS-APDとの特性比較も行った.深部発生キャリアのキャンセル機構を有するSi-PDにおいて,暗電流は3nA,降伏電圧は13Vであった.0V感度は0.029A/Wであり,13Vから顕著なアバランシェ増幅が確認され,最大感度2.77A/W@13.7V(アバランシェ利得25倍)を得た.周波数帯域はアバランシ降伏時に最大となり,13.3V印加時で1GHzを得た.
- 2012-06-15
著者
-
丸山 武男
金沢大学大学院自然科学研究科
-
丸山 武男
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
前北 和晃
金沢大学大学院自然科学研究科
-
霜鳥 敏之
金沢大学大学院自然科学研究科
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