酸化、窒化、酸窒化した(100)GaAs表面のAFM、TEM、XPS、ホトルミネッセンスによる評価
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概要
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(100)GaAsウエハに対して、UV&オゾンによる酸化、窒素プラズマによる窒化、及びこれらの組み合わせによる酸窒化を行った。ウエハ表面を原子間力顕微鏡、X線光電子分光装置、透過電子顕微鏡、フォトルミネッセンス装置を用いてこれらの処理の影響を調べた。(1)酸化膜表面のラフネスは酸化時間と共に増すが、界面は酸化時間が長いほど平坦度が高くなること、(2)酸化により、界面近傍のGaAsは軽度の結晶の乱れを生じること、(3)窒化のみを行うと、GaAsは甚大な結晶の乱れを生じること、(4)酸化後に適度な時間の窒化を行うと、酸化による結晶の乱れが改善されることが分かった。これらはフォトルミネッセンス強度の実験結果や、我々が別途報告する電気特性評価結果とよく一致する。GaAsの酸化膜は多量の砒素を含むGa酸化物から成っているが、窒化により、砒素が抜け、窒素が侵入し、GaNを含むGaON膜ができることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-23
著者
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻
-
米沢 保人
石川県工業試験場
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科機能開発科学
-
ポール ナラヤン・チャンドラ
金沢大学大学院自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科
-
ポール ナラヤン
金沢大学大学院自然科学研究科
-
猪熊 孝夫
金沢大学大学院自然科学研究科
-
東嶺 孝一
北陸先端科学技術大学院大学
-
大塚 信雄
北陸先端科学技術大学院大学
-
ナラヤン・チャンドラ ポール
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学理工研究域
-
大塚 信雄
北陸先端科学技術大学院大
-
飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
高宮 三郎
金沢大学大学院 自然科学研究科
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