28pXB-13 BeデルタドープGaAs構造の負の磁気抵抗(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2006-03-04
著者
-
大塚 信雄
北陸先端科学技術大学院大学
-
盧 正泌
北陸先端科学技術大学院大学
-
下岸 史明
筑波大数理物質学際物質セ
-
井筒 康洋
北陸先端科学技術大学院大学
-
下岸 史明
北陸先端科学技術大学院大学
-
大塚 信雄
北陸先端科学技術大学院大
関連論文
- 酸化、窒化、酸窒化した(100)GaAs表面のAFM、TEM、XPS、ホトルミネッセンスによる評価
- 20pPSB-7 MCBJ法によるPt-H_2-Pt接合の伝導測定(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pPSA-22 超伝導原子ポイントコンタクトの交流ジョセフソン効果(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pPSA-21 MCBJ法を用いた微小SNS接合の作製(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 17pPSA-21 伝導性酸化物中に分散された鉄ナノ微粒子の磁性と伝導
- 23aWA-7 小数分子で接合した超伝導ナノリンクの伝導チャネルの決定(電荷密度波・超伝導,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
- 22pPSB-18 水素単分子接合のポイントコンタクトスペクトロスコピー(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- GaAs 中での電子状態に起因する金属クラスターの再配列
- 半導体界面におけるFermi準位ピンニング
- 北陸先端科学技術大学院大学の紹介(大学・研究機関の紹介)(支部だより)
- 28pXB-13 BeデルタドープGaAs構造の負の磁気抵抗(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aYT-8 Be/SiデルタドーブGaAs構造における金属・絶縁体転移(低次元電子系,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 12pYB-13 強く局在した 2 次元正孔系におけるスピン整列(アンダーソン局在, 領域 4)
- 22pTL-6 GaAs デルタドーブ構造における金属的-絶縁体的伝導転移
- 28aZP-4 デルタドープ GaAs 構造のホッピング伝導
- 6aSA-2 非化学量論的GaAs膜の非金属的伝導へのキャリア注入効果(アンダーソン局在・量子カオス・量子細線,領域4)