17pPSA-21 伝導性酸化物中に分散された鉄ナノ微粒子の磁性と伝導
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2001-09-03
著者
-
石井 大介
武蔵工大工
-
小矢野 幹夫
北陸先端大 マテリアル
-
片山 信一
北陸先端大材料
-
東嶺 孝一
北陸先端科学技術大学院大学
-
大塚 信雄
北陸先端科学技術大学院大学
-
大塚 信雄
北陸先端大・材料
-
片山 信一
北陸先端大材
-
石井 大介
北陸先端大 材料
-
東嶺 孝一
新素材セ
-
大塚 信雄
北陸先端大
-
大塚 信雄
北陸先端科学技術大学院大
-
小矢野 幹夫
北陸先端大
-
Katayama Shin-ichi
School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology
-
片山 信一
北陸先端大
関連論文
- 21aTH-10 層状物質η-Mo_4O_が示すパルス強磁場下でのカイラル表面状態(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 29pSD-1 BASJEアレイ拡張計画IV(29pSD 高・超高エネルギー宇宙線,宇宙線・宇宙物理領域)
- 13aSC-3 BASJEアレイ拡張計画III(13aSC 高・超高エネルギー宇宙線 : 空気シャワーアレイ・気球実験他,宇宙線・宇宙物理領域)
- 28a-PS-73 低次元磁性体VOMoO_4の電子-格子解析
- 2p-YG-5 モリブデン酸化物とブルーブロンズの電荷密度波状態におけるコヒーレントフォノン
- 28aZK-5 層状ワイドギャップ半導体 (LaO) CuS のフォトルミネッセンス
- 28aZK-4 オキシサルファイド (LaO) CuS における S サイト置換効果
- 19aYB-8 CrN/VNヘテロ界面の作成と電気的・磁気的性質II(薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 酸化、窒化、酸窒化した(100)GaAs表面のAFM、TEM、XPS、ホトルミネッセンスによる評価
- 8a-S-2 MBE成長non-dope GaAs薄膜の不純物と補償比の評価
- 30pYE-4 Fe_xNbS_2(x=0.325)の原子配列立体写真及び構造解析(表面界面構造(金属・その他))(領域9)
- 7a-C-2 溶液中におけるC_会合体の生成とその安定化(II)
- 溶液中におけるC_会合体の生成
- 27pXC-5 電場印加したサブバンド間遷移ラマンレーザー利得スペクトルの解析(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pPSB-7 層状 p 型半導体 (LaO)CuS の構造欠陥効果
- 29p-ZG-5 磁場によるテラヘルツ電磁波のスペクトル制御
- 26p-PSA-9 低次元磁性体VOMoO_4のラマン散乱II
- 5a-F-3 ZnSe-ZnS及びZnTe-ZnSe歪超格子の吸収スペクトル
- 12a-DE-8 ZnSe-ZnS歪超格子における吸収スペクトルの偏光及び厚み依存性
- 19aYN-1 分子動力学法によるPbTe系超格子の面内格子熱伝導シミュレーション(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pPSA-2 CrN/VNヘテロ界面の作成と電気的・磁気的性質(薄膜・人工格子,微小領域,遍歴磁性酸化物,f電子系,実験技術開発等,領域3(磁性,磁気共鳴))
- もみ殻を構成するシリカの加熱変化
- 13aWB-10 MnO-MoO_2 複合薄膜の磁場中冷却効果 II(薄膜・人工格子磁性, 領域 3)
- 12pTM-2 擬一次元伝導体(TaSe_4)_2I の CDW 電流への光照射効果(電荷密度波, 領域 6)
- 14pYC-10 非対称結合 2 重量子井戸を用いたサブバンドラマンレーザーの理論(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
- 28aXR-13 MnO-MoO_2複合薄膜の磁場中冷却効果(薄膜,人工格子磁性,微小領域磁性)(領域3)
- 22pPSA-8 Fe_xNbS_2 の角度分解光電子分光
- 23aTH-13 Bi_2Te_3 におけるアンチサイト電子状態の計算
- 31pYG-5 Pb_Ge_xTe の局所構造緩和と格子熱伝導シミュレーション
- 30pPSA-10 Fe_xNbS_2 の軟 X 線分光
- 28aZH-2 面欠陥モードの局在性におよぼす表面形状効果
- 28pPSA-9 Mn-MoO_2 同時スパッタリング薄膜の作製と磁気特性 II
- 28aZH-2 面欠陥モードの局在性におよぼす表面形状効果
- 数値計算を用いた光励起キャリアダイナミクスと3次元フォトニック結晶の研究 (JAISTにおける並列計算機および計算サーバ利用研究(2001年度)) -- (材料科学分野における研究)
- 20aYH-8 単一ヘテロ接合の準2次元電子状態への横方向密度変調効果
- 17pPSA-21 伝導性酸化物中に分散された鉄ナノ微粒子の磁性と伝導
- 25aYD-10 層間化合物Fe_xNbS_2における伝導キャリアの磁気散乱
- 25aXD-7 強電場下における超短光パルス励起キャリアのダイナミクス
- 23aN-16 コヒーレントプラズモン-縦光学フォノン結合モードの緩和
- 24pK-3 半導体の超短光パルス応答と光学フォノン
- 26pYB-3 フェムト秒パルスレーザー励起の光キャリアダイナミクスとTHz電磁波放射
- 29p-ZG-3 半導体表面空乏層におけるキャリアのLOフォノン散乱による超短時間緩和
- 30aXE-3 MgCl_2/Ag薄膜のラマン分光法による観察
- 31a-S-13 活性度の異なるZiegler-Natta触媒のX線回折及びラマン散乱観察
- 6a-H-4 Ziegler-Natta触媒の活性状態の研究 : TiCl_3のラマンスペクトル
- 26pC-11 層間化合物Fe_xNbS_2の超格子構造と磁気的性質III
- 29a-ZF-2 層間化合物Fe_xNbS_2の超格子構造と磁気的性質II
- 26a-YK-11 層間化合物Fe_xNbS_2の低温熱容量
- 25a-YM-10 GaAs(001)の電荷誘起再配列における連続的な変調周期の変化
- 2a-YF-12 GaAs(001)の長周期再配列構造
- GaAs 中での電子状態に起因する金属クラスターの再配列
- 半導体界面におけるFermi準位ピンニング
- 北陸先端科学技術大学院大学の紹介(大学・研究機関の紹介)(支部だより)
- 28pXB-13 BeデルタドープGaAs構造の負の磁気抵抗(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aYT-8 Be/SiデルタドーブGaAs構造における金属・絶縁体転移(低次元電子系,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 12pYB-13 強く局在した 2 次元正孔系におけるスピン整列(アンダーソン局在, 領域 4)
- 22pTL-6 GaAs デルタドーブ構造における金属的-絶縁体的伝導転移
- 28aZP-4 デルタドープ GaAs 構造のホッピング伝導
- 30a-PS-79 バナジウム1次元鎖を含む酸化物、VOMoO_4の低温磁気構造
- 28aYB-2 η-Mo_4O_ の CDW ギャップの直接観測 : 角度分解光電子分光
- 29aWB-3 η-Mo_4O_ の"隠れた一次元"フェルミ面 : 角度分解光電子分光
- 26a-YK-10 層間化合物Fe_xNbS_2の超格子構造と磁気的性質
- 12pRB-12 層状化合物の熱電性能と電子相関(その他の遷移金属化合物, 領域 8)
- 30p-S-7 遷移金属トリカルコゲナイドの電子物性
- 3p-F-2 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の電荷密度波のスライディング
- 23pXC-1 擬二次元CDW化合物Mo_4O_の高分解能角度分解光電子分光
- 19aPS-116 Bi-Sb-Ni複合合金の超伝導と磁気的性質(19aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23pZA-2 擬二次元導体η-Mo_4O_のCDWギャップと微小フェルミ面 : 高分解能ARPES(23pZA 電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 29pRE-1 擬二次元導体η-Mo_4O_の微細電子構造 : 高分解能ARPES(29pRE 光電子分光・逆光電子分光,放射光真空紫外分光,軟X線発光,領域5(光物性))
- 24pYM-10 電荷密度波並進運動の横電場効果II
- 28a-A-4 電荷密度波並進運動の横電場効果
- 27a-YK-9 モリブデン酸化物薄膜の作製と光学的性質
- 27a-YK-3 化学気相法によるTiS_3単結晶の育成と物性
- 31a-Y-2 VOMoO_4のラマン散乱
- 7a-E-11 遷移金属トリカルコゲナイドの電子物性II
- 7a-E-10 擬二次元伝導体η-Mo_4O_の常磁性磁化率
- 29a-X-15 低次元電気伝導性酸化物MoO_の薄膜作製と電荷密度波
- 24aL-1 横方向密度変調2次元プラズモンによる光散乱スペクトルの計算
- 30p-ZE-4 単一ヘテロ接合における密度変調2次元プラズモンと近接電場プロファイル
- 27a-YN-3 量子井戸中の励起子分子束縛エネルギーに対する界面凹凸の効果
- 横田伊佐秋先生を偲んで
- 2p-YH-7 半導体ヘテロ接合2次元プラズモンからの遠赤外線放射スペクトル
- 2a-YH-3 量子井戸における荷電励起子の量子モンテカルロ計算
- 5p-E-1 量子井戸における励起子分子の量子モンテカルロ計算
- 半導体2次元電子プラズマからの遠赤外線発光
- 3p-X-10 表面グレーティングを介する量子井戸励起子ポラリトンからの発光
- 3a-X-9 タイプ-II超格子における励起子分子
- 28p-YA-11 表面グレーティングを介する量子井戸励起子ポラリトン発光の計算
- 31p-YL-10 II-VI族半導体歪み量子井戸におけるアクセプタ不純物の計算
- 29a-YQ-6 非対称量子井戸におけるルミネッセンスエネルギーの磁場依存性
- 2次元電子系の磁気ルミネッセンスと多体効果
- 5a-F-4 単一ヘテロ接合におけるルミネッセンスエネルギーの磁場依存性
- Numerical Simulation of THz Radiation by Coherent LO Phonons in GaAs p-i-n Diodes under High Electric Fields(Condensed matter : Electronic Structure, Electrical, Magnetic and Optical Properties)
- 30aPS-36 Ultrafast carrier dynamics and generation of coherent oscillations in GaAs p-i-n diodes
- 22aPS-67 スピネル化合物Cu_y(Fe_Co_x)_4Sn_Se_の可変領域ホッピング伝導と熱電物性(22aPS 領域8ポスターセッション(低温1(遷移金属酸化物・超伝導など)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 6aSG-6 FexNbS2の光電子分光(光電子分光・逆光電子分光,領域5)
- 6aSA-2 非化学量論的GaAs膜の非金属的伝導へのキャリア注入効果(アンダーソン局在・量子カオス・量子細線,領域4)
- 6pSH-8 負の熱膨張を示すZr1-xScxW2O8-yの相転移温度(誘電体,領域10)
- 8pPSA-7 Mn-MoO_2同時スパッタリング薄膜の作製と磁気特性(薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性講演,領域3)
- 7aQB-4 擬一次元伝導体TaS_3のレーザー光照射による電流-電圧特性(CDW・超伝導,領域6)