第一原理計算による(100)InP表面の電子状態解析
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概要
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硫黄やセレンを用いた表面処理は化合物半導体表面のパッシベーション法として注目されている。硫黄やセレンはカルコゲン(VI族)元素であり酸素原子もカルコゲン元素の一つであるが、酸素の表面での振る舞いは未だ詳しく解明されていない。化合物半導体表面での原子の振る舞いは不明なことが多い。活性である表面状態を観測することは緒についたばかりで未だ実験報告例も少ない。本研究は(100)InP表面に注目し第一原理計算であるDV-Xα分子軌道法を用いて表面状態を解析することで、従来の方法とは異なる方向から表面状態および表面安定化について考察したものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-30
著者
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
高宮 三郎
金沢大学工学部
-
飯山 宏一
金沢大学工学部電気情報工学科
-
山村 要一
金沢大学大学院自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学工学部
-
宮村 悟史
金沢大学大学院自然科学研究科
-
猪熊 孝夫
金沢大学大学院自然科学研究科
-
葛西 悠葵
金沢大学大学院自然科学研究科
-
宮村 悟史
金沢大学工学部電気電子システム工学科
-
猪熊 孝夫
金沢大学工学部電気電子システム工学科
-
飯山 宏一
金沢大学理工研究域
-
飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
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