MIS/Schottkyダイオードによる酸化、窒化、酸窒化(100)GaAs表面の電気特性評価
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概要
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W&Ozoneによる酸化、窒素プラズマ処理による窒化、および酸化後の窒化によるGaAs(100)表面への影響をMISダイオードとショットキーダイオードにより調べた。その結果、GaAs表面を酸化すると2時間酸化までは表面状態が悪化し、漏れ電流が増加することが分かった。さらに長時間の酸化では回復傾向が現れた。裸のGaAs表面を窒化すると漏れ電流とC-V特性が急激に悪化し、表面が著しいダメージを受けることが分かった。8時間の酸化を行った後室化すると酸化による基盤のダメージが回復し、4時間までの窒化では漏れ電流が減少するとともに、C-V特性からMISダイオードのbuilt in potentialも改善されることがわかった。これらの結果は我々が別途行った構造.組成評価の結果とよく一致している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-23
著者
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科機能開発科学
-
中村 一樹
金沢大学大学院自然科学研究科
-
ポール ナラヤン・チャンドラ
金沢大学大学院自然科学研究科
-
武部 正英
金沢大学大学院自然科学研究科
-
ポーノレ ナラヤン・チャンドラ
金沢大学大学院自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科
-
武部 正英
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
ポール ナラヤン
金沢大学大学院自然科学研究科
-
ナラヤン・チャンドラ ポール
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学理工研究域
-
飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
高宮 三郎
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
武部 正英
金沢大学大学院 自然科学研究科
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