武部 正英 | 金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻

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関連著者

• 飯山 宏一

  金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻

• 高宮 三郎

  金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻

• 高宮 三郎

  金沢大学大学院自然科学研究科機能開発科学

• 武部 正英

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 飯山 宏一

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 武部 正英

  金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻

• 飯山 宏一

  金沢大学理工研究域

• 飯山 宏一

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 高宮 三郎

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 武部 正英

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• ポール ナラヤン・チャンドラ

  金沢大学大学院自然科学研究科

• ポール ナラヤン

  金沢大学大学院自然科学研究科

• ナラヤン・チャンドラ ポール

  金沢大学大学院 自然科学研究科

• 中村 一樹

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 為頭 美斗子

  金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻

• ナラヤン チャンドラ・ポール

  金沢大学大学院自然科学研究科

• ポーノレ ナラヤン・チャンドラ

  金沢大学大学院自然科学研究科

• チャンドラ ポール

  金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻

• 藤農 佑樹

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 瀬戸 大樹

  金沢大学大学院自然科学研究科

• ポール ナラヤ・チャンドラ

  金沢大学大学院自然科学研究科

• ポール ナラヤン

  金沢大学大学院 自然科学研究科

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著作論文

• 酸化InAlAs層をゲート絶縁膜とするディップレッション/エンハンスメント型InAiAs/InGaAs MOSHEMTの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 酸化膜および酸窒化膜GaAs MISFETの試作とその特性比較(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• MIS/Schottkyダイオードによる酸化、窒化、酸窒化(100)GaAs表面の電気特性評価
• GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするnチャネルpチャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作(半導体材料・デバイス)
• Alレジスト膜による新プロセスで形成した酸窒化ゲート絶縁膜GaAs-MISFET(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするn-チャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

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