酸化膜および酸窒化膜GaAs MISFETの試作とその特性比較(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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酸窒化膜を持つGaAs MISFETを試作しその特性を調べた.窒化がデバイス特性に与える影響を調べるため酸化のみのGaAs MOSFETも同時に作製した.4時間のUV & Ozone処理により酸化膜を形成し,その後ヘリコン波窒素プラズマで2時間窒化し酸窒化膜を形成した.酸窒化膜サンプルでは酸化膜サンプルと比較してゲートリーク電流が最大3桁滅少した.また,良好なピンチオフが得られ,ドレイン耐圧が向上し,ヒステリシスも無くなった.窒化によって相互コンダクタンスのゲート長依存性が改善し,ゲート長1μmの酸窒化膜サンプルでは相互コンダクタンス110mS/mm,電流利得遮断周波数15GHzが得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-06
著者
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科機能開発科学
-
中村 一樹
金沢大学大学院自然科学研究科
-
武部 正英
金沢大学大学院自然科学研究科
-
ナラヤン チャンドラ・ポール
金沢大学大学院自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科
-
武部 正英
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
飯山 宏一
金沢大学理工研究域
-
飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
高宮 三郎
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
武部 正英
金沢大学大学院 自然科学研究科
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