ED2000-97 Schottky/MIS境界領域における接合の電流電圧特性
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概要
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化合物半導体MESFETにおいては、デバイスの微細化とチャネルの高不純物密度化、および高移動度材料の導入によって、高速化がはかられてきた。その結果、ショットキーゲートの漏れ電流が高速化の制限要因になりつつある。これを克服するには、障壁高が大きい絶縁膜を用いたMISゲート化が有効と考えられる。本論文ではまず始めに、ショットキー接合と極薄絶縁膜MIS構造の電流電圧特性を併せて表現できる形の理論式を使って、チャネル不純物密度とショットキーゲートの漏れ電流との関係を明らかにするとともに、極薄絶縁膜を介在させた時の漏れ電流抑制効果を理論的に求めた。次にGaAsとSiとを用いて、ショットキーダイオードとMISダイオードを試作し、その電流電圧特性と温度依存性について調べ理論計算との比較をおこなった。GaAs酸化膜をI層とする極薄絶縁膜GaAs MISFETの試作と評価結果についても触れる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-07-20
著者
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科機能開発科学
-
葛西 悠葵
金沢大学大学院自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学理工研究域
-
太田 陽介
金沢大学大学院自然科学研究科
-
橋本 松進
金沢大学大学院自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
高宮 三郎
金沢大学大学院 自然科学研究科
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