横型フォトダイオードを光検出部とするInP/InGaAsヘテロ接合2端子フォトトランジスタの試作(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
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概要
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横型光検出部を持つInP/InGaAsフォトトランジスタの試作と評価結果を述べる。本フォトトランジスタはコレクタとエミッタがくし型状に構成されている横型の2端子素子である。試作素子の評価結果より、感度5A/W、電流利得20倍、帯域は60MHzであった。シミュレーションにより、ベース領域でのキャリア寿命を短くすることにより、感度と電流利得は低下するが、帯域は10GHz程度が得られることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-12
著者
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報システム専攻
-
高宮 三郎
金沢大学大学院自然科学研究科機能開発科学
-
飯山 宏一
金沢大学大学院自然科学研究科
-
鄭 太雄
金沢大学大学院自然科学研究科
-
飯山 宏一
金沢大学理工研究域
-
飯山 宏一
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
高宮 三郎
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
鄭 太雄
金沢大学大学院 自然科学研究科
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