BCB貼付け法によるSi基板上MSM型InGaAs光検出器のGHz応答(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
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概要
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シリコンゴトニクスを実現するためには,シリコンプラットフォーム上に受発光素子を集積化する技術が必要となる.本研究では,ベンゾシクロブテン(BCB)貼り付け法を用いてSi基板上にInGaAsを光吸収層とした金属-半導体-金属(MSM)光検出器を作製した.波長1.55μmにおいて特性を評価した結果,6V印加時で暗電流29nA,15V印加時で感度0.038A/W,帯域3GHzが得られた.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-05-10
著者
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