SOI基板への直接貼り付け法によるGaInAsP/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
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概要
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次世代LSIでのグローバル配線候補である光配線に不可欠な単一波長レーザの実現を目的に、SOI基板上GaInAsP/InPDFBレーザに関する研究を行った。半導体薄膜DFBレーザを作製し、光励起条件下において単一波長動作および85℃までの連続動作を実現した。また電流注入動作に向けて抵抗の低減を実現し、SOI基板上に直接貼り付けしたDFBレーザの電流注入発振に初めて成功した。ストライプ幅25μm、共振器長1mmの素子において、室温パルス動作化でしきい値電流104mAが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-06-20
著者
-
西山 伸彦
東京工業大学 精密工学研究所
-
荒井 滋久
東京工業大学
-
奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
-
荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
丸山 武男
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
西山 伸彦
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
-
米澤 英徳
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
-
米澤 英徳
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻
-
奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学電気電子工学専攻
-
奥村 忠嗣
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
-
丸山 武男
金沢大学大学院自然科学研究科
-
丸山 武男
金沢大学理工研究域
-
荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻
-
奥村 忠嗣
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター、電気電子工学専攻
-
西山 伸彦
東京工業大学
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