半導体薄膜BH-DFBレーザアレイに関する研究(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)

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概要

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• 誘電体クラッド層およびドライエッチングにより形成された細線状活性層を有する強光閉じ込め、強屈折率結合1.55μm帯GalnAsP/InP半導体薄膜BH-DFBレーザの室温連続動作が得られた。共振器をアレイ状(5種類のDFB周期それぞれについて10μm間隔で15本)に並べた素子を試作した。72nmの発振波長範囲にわたって発振波長制御性を見積もり、同一デザイン素子内での発振波長の変動は最大で±1.2nm以内と小さい値となった。また、51nmの範囲にわたり発振波長の変動が最小二乗近似と比較して±0.4nm(50GHz)以内となった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-06-27

著者

• 荒井 滋久

  東京工業大学

• 岡本 健志

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構

• 荒井 滋久

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 田村 茂雄

  東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター

• 田村 茂雄

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 岡本 健志

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 山崎 達也

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 岡本 健志

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 岡本 健志

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 小野寺 祐一

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

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