岡本 健志 | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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概要
関連著者
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岡本 健志
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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岡本 健志
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
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中川 茂樹
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
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中川 茂樹
東京工業大学
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孔 碩賢
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
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孔 碩賢
東京工業大学大学電子物理工学科
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中川 茂樹
東京工業大学大学院
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孔 碩賢
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学
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荒井 滋久
東京工業大学
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
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荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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田村 茂雄
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
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田村 茂雄
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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山崎 達也
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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伊東 祐史
東京工業大学 大学院理工学研究科 電子物理工学専攻
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岡本 健志
NECナノエレクトロニクス研究所
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阪本 真一
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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岡本 健志
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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小野寺 祐一
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
著作論文
- 誘電体クラッド半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 誘電体クラッド半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 半導体薄膜BH-DFBレーザアレイに関する研究(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- 半導体薄膜BH-DFBレーザアレイに関する研究(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- Fe-Co-B/Ni-Fe/Si裏打ち軟磁性層の高異方性磁界の起源
- 高異方性磁界を有するFe-Co-B大飽和磁化軟磁性裏打ち層の開発
- 高異方性磁界を有するFe-Co-B大飽和磁化軟磁性裏打ち層の開発(垂直記録及び一般)
- 高飽和磁化と超高異方性磁界を持つ軟磁性薄膜の作製技術 : 500 Oe以上の異方性磁界を持つFe-Co-B軟磁性薄膜(新技術・新製品)
- C-7-5 Disk径方向に高異方性磁界を有するFe-Co-B/Ni-Fe/Si裏打ち軟磁性層の作製(C-7.磁気記録)
- Fe-Co-B/Ni-Fe/Si裏打ち軟磁性層の高異方性磁界の起源
- Fe-Co-B/M二層裏打ち軟磁性層の微細結晶構造及び磁気特性
- 酸化膜中間層による垂直磁気記録媒体のノイズ低減(第7回アジア情報記録技術シンポジウム)
- 酸化膜中間層による垂直磁気記録媒体のノイズ低減
- Fe-Co垂直磁気記録媒体用裏打ち軟磁性層の特性改善
- 酸化膜中間層による垂直磁気記録層の微細粒化
- Ni-Fe-O下地層によるFe-Co-B薄膜の微細化と軟磁気特性(磁性薄膜及び一般)