田村 茂雄 | 東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

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概要

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関連著者

• 荒井 滋久

  東京工業大学

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構

• 田村 茂雄

  東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター

• 田村 茂雄

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 荒井 滋久

  東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻

• 布谷 伸浩

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 小島 隆

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 八木 英樹

  住友電気工業(株)伝送デバイス研究所

• 田中 英

  東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター

• 八木 英樹

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 村主 賢悟

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 村主 賢悟

  古河電気工業株式会社:光産業技術振興協会

• 田中 英

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 八木 英樹

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:独立行政法人科学技術振興機構

• 八木 英樹

  東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 大平 和哉

  (株)東芝研究開発センター

• 安本 英雄

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 阪本 真一

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 岡本 健志

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 山崎 達也

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 大平 和哉

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 岡本 健志

  東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻

• 中谷 洋幸

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• ラジュ モティ

  東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター

• ウィドマン ヨルク

  東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター

• 海老原 幸司

  東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター

• 松井 研輔

  日立電線(株)アドバンス技術研究所

• 松井 研輔

  東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター

• 緑川 英樹

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• ハク アニスル

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:jst-crest

• 岡本 健志

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 中村 円香

  東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター

• 佐野 琢哉

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 内藤 秀幸

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 丸山 武男

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 中村 円香

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 佐野 琢哉

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 佐野 琢哉

  東京工業大学大学院理工学研究科物理学専攻

• 丸山 武男

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 岡本 健志

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 丸山 武男

  金沢大学理工研究域

• 小野寺 祐一

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• ラジュ モティ・マダン

  東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター

• 村山 智則

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 広瀬 誠人

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター

• 海老原 幸司

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 荒井 滋久

  東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:東京工業大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻

• 田村 宗久

  東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター

• 勘定 寛

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 金 孝艇

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 賈 学英

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 阪 義和

  東京工業大学工学部

• 田村 宗久

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 尾野村 章弘

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

• 阪 義和

  東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター

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著作論文

• GH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長によるGaInAs/PInP多層量子細線レーザ
• 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
• 細線構造を有する分布反射型(DR)レーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般)
• 低損傷CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長による1.5μm波長帯GaInAsP/InP歪補償多層細線レーザの低しきい値動作
• 低しきい値・高効率動作のための活性層分離型分布反射型レーザの設計と試作
• GH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長によるGaInAs/PInP多層量子細線レーザ
• GaInAsP/InP量子細線レーザの作製とその光学利得特性評価
• GaInAsP/InP量子細線レーザの作製とその光学利得特性評価
• 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 誘電体クラッド半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 誘電体クラッド半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 半導体薄膜BH-DFBレーザアレイに関する研究(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
• 半導体薄膜BH-DFBレーザアレイに関する研究(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
• EB露光法による極微構造の作製とGaInAsP/InP量子細線レーザへの応用
• ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
• 深いエッチング溝にBCBを埋め込んだ1.55μm波長帯単一モード半導体レーザの設計と試作
• 深いエッチング溝にBCBを埋め込んだ1.55μm波長帯単一モード半導体レーザの設計と試作
• 1.55μm波長帯半導体/ベンゾシクロブテン(BCB)分布反射器(DBR)レーザ
• 活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 活性層分離型DFBと量子細線DBRを有する分布反射型レーザの低電流・高効率動作(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
• 低損傷CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長による1.5μm波長帯GaInAsP/InP歪補償多層細線レーザの低しきい値動作
• 垂直回折格子を有する1.5μm波長分布反射型レーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般)

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