田中 英 | 東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
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概要
関連著者
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田中 英
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
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小島 隆
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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荒井 滋久
東京工業大学
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田村 茂雄
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
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安本 英雄
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
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布谷 伸浩
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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田村 茂雄
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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田中 英
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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中村 円香
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
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中谷 洋幸
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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中村 円香
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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福士 一郎
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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田村 宗久
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
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新井 滋久
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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賈 学英
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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田村 宗久
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
著作論文
- GH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長によるGaInAs/PInP多層量子細線レーザ
- 29p-ZL-19 CH_4/H_2-RIE/OMVPE再成長法によるGaInAsP/InP多層量子細線レーザ
- 28p-B-10 CH_4/H_2-RIEとOMVPE埋め込み再成長によるGaInAsP/InP DFBレーザの作製
- 28a-B-9 1.55μm波長GaInAsP/InP圧縮歪多重量子井戸レーザの温度特性
- GH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長によるGaInAs/PInP多層量子細線レーザ
- GaInAsP/InP量子細線レーザの作製とその光学利得特性評価
- GaInAsP/InP量子細線レーザの作製とその光学利得特性評価
- EB露光法による極微構造の作製とGaInAsP/InP量子細線レーザへの応用