布谷 伸浩 | 東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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概要
関連著者
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布谷 伸浩
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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荒井 滋久
東京工業大学
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田村 茂雄
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
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田村 茂雄
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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田中 英
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
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中村 円香
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
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村主 賢悟
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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村主 賢悟
古河電気工業株式会社:光産業技術振興協会
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小島 隆
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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安本 英雄
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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八木 英樹
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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八木 英樹
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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緑川 英樹
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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八木 英樹
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:独立行政法人科学技術振興機構
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八木 英樹
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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大平 和哉
(株)東芝研究開発センター
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福士 一郎
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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佐野 琢哉
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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中村 円香
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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佐野 琢哉
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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佐野 琢哉
東京工業大学大学院理工学研究科物理学専攻
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大平 和哉
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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田中 英
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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田村 宗久
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
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安藤 俊一
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
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新井 滋久
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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尾野村 章弘
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
著作論文
- GH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長によるGaInAs/PInP多層量子細線レーザ
- ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
- 細線構造を有する分布反射型(DR)レーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般)
- 低損傷CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長による1.5μm波長帯GaInAsP/InP歪補償多層細線レーザの低しきい値動作
- 低しきい値・高効率動作のための活性層分離型分布反射型レーザの設計と試作
- 29p-ZL-19 CH_4/H_2-RIE/OMVPE再成長法によるGaInAsP/InP多層量子細線レーザ
- 28p-ZC-9 GaInAsP/InP低次元量子井戸構造のためのCH_4/H_2ドライエッチング/埋込み再成長
- 28p-B-10 CH_4/H_2-RIEとOMVPE埋め込み再成長によるGaInAsP/InP DFBレーザの作製
- 28a-B-9 1.55μm波長GaInAsP/InP圧縮歪多重量子井戸レーザの温度特性
- 29p-ZH-4 GaInAsP/InP細線レーザの自然放出光からの表面再結合速度の見積もり
- GH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長によるGaInAs/PInP多層量子細線レーザ
- ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
- 低損傷CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長による1.5μm波長帯GaInAsP/InP歪補償多層細線レーザの低しきい値動作