村主 賢悟 | 古河電気工業株式会社:光産業技術振興協会
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概要
関連著者
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村主 賢悟
古河電気工業株式会社:光産業技術振興協会
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黒部 立郎
古河電気工業株式会社
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荒井 滋久
東京工業大学
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粕川 秋彦
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
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粕川 秋彦
古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部
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粕川 秋彦
古河電工
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荒井 滋久
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構
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布谷 伸浩
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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田村 茂雄
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
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村主 賢悟
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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田村 茂雄
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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木本 竜也
古河電気工業株式会社:光産業技術振興協会
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向原 智一
古河電気工業株式会社横浜研究所
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黒部 立郎
古河電気工業株式会社ファイテルフォトニクス研究所
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粕川 秋彦
古河電気工業株式会社
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木本 竜也
古河電気工業株式会社
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村主 賢悟
古河電気工業株式会社
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緑川 英樹
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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八木 英樹
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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神林 宏
古河電工 横浜研究所
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神林 宏
次世代パワーデバイス技術研究組合
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野村 剛彦
次世代パワーデバイス技術研究組合
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向原 智一
古河電工横浜研究所半導体研究開発センター
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那須 秀行
古河電工横浜研究所半導体研究開発センター
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神林 宏
古河電工横浜研究所半導体研究開発センター
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大池 瑞記
古河電工横浜研究所半導体研究開発センター
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吉見 伸一
古河電工横浜研究所半導体研究開発センター
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黒部 立郎
古河電工横浜研究所半導体研究開発センター
-
木本 竜也
古河電工横浜研究所半導体研究開発センター
-
村主 賢悟
古河電工横浜研究所半導体研究開発センター
-
野村 剛彦
古河電工横浜研究所半導体研究開発センター
-
粕川 秋彦
古河電工横浜研究所半導体研究開発センター
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向原 智一
古河電気工業株式会社
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野村 剛彦
古河電気工業株式会社横浜研究所
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那須 秀行
古河電気工業情報電子研究所
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那須 秀行
古河電気工業株式会社
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荒井 滋久
東京工業大学 理工学研究科 電気電子工学専攻
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八木 英樹
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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佐野 琢哉
東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
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佐野 琢哉
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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佐野 琢哉
東京工業大学大学院理工学研究科物理学専攻
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那須 秀行
古河電気工業
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大池 瑞記
光産業技術振興協会:古河電気工業株式会社横浜研究所
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八木 英樹
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:独立行政法人科学技術振興機構
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八木 英樹
東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
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鍵本 太志
古河電気工業株式会社
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有本 英生
日立製作所株式会社
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辻 伸二
日立製作所株式会社
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大平 和哉
(株)東芝研究開発センター
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大谷 栄介
古河電気工業株式会社 ファイテルフォトニクス研究所
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加木 信行
古河電気工業株式会社 ファイテルフォトニクス研究所
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辻 伸二
(株)日立製作所中央研究所
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鍵本 太志
大阪大 工
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有本 英生
(株)日立製作所中央研究所
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辻 伸二
(株)日立製作所 中央研究所
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呉 杰
古河電気工業株式会社
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辻 伸二
技術研究組合光電子融合基盤技術研
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大平 和哉
東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター
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加木 信行
古河電気工業株式会社:光産業技術振興協会
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加木 信行
古河電気工業
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大谷 栄介
古河電気工業株式会社
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鍵本 大志
古河電気工業
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辻 伸二
日立製作所中央研究所
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有本 英生
日立製作所中央研究所
著作論文
- 25GHz間隔波長モニタ内蔵高出力、Full C-band波長可変DFBレーザモジュール(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]25GHz間隔波長モニタ内蔵高出力、Full C-band波長可変DFBレーザモジュール(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
- 低損傷CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長による1.5μm波長帯GaInAsP/InP歪補償多層細線レーザの低しきい値動作
- 低しきい値・高効率動作のための活性層分離型分布反射型レーザの設計と試作
- 短共振器DBR型波長可変レーザモジュールの高速波長ロッカー制御(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
- 半導体導波路によるモノリシック集積波長選択型波長可変光源におけるスペクトル線幅の狭線幅化(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 波長可変光源の線幅特性の改善(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 低損傷CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長による1.5μm波長帯GaInAsP/InP歪補償多層細線レーザの低しきい値動作