神林 宏 | 古河電工 横浜研究所

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概要

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• 古河電工 横浜研究所の論文著者

関連著者

• 神林 宏

  古河電工 横浜研究所

• 神林 宏

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 野村 剛彦

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 野村 剛彦

  古河電工横浜研究所半導体研究開発センター

• 野村 剛彦

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 加藤 禎宏

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 加藤 禎宏

  古河電工

• 佐藤 義浩

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 池田 成明

  古河電工

• 新山 勇樹

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 池田 成明

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 吉田 清輝

  古河電工横浜研究所

• 吉田 清輝

  古河電工横浜研究所次世代技術センター

• 吉田 清輝

  古河電気工業(株)

• 李 江

  古河電工

• 増田 満

  古河電気工業株式会社 横浜研究所 Ganプロジェクトチーム

• 池田 成明

  古河電工 横浜研究所

• 野村 剛彦

  古河電工 横浜研究所

• 吉田 清輝

  古河電工 横浜研究所

• 黒部 立郎

  古河電気工業株式会社

• 那須 秀行

  古河電工横浜研究所半導体研究開発センター

• 向原 智一

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 粕川 秋彦

  古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター

• 粕川 秋彦

  古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部

• 粕川 秋彦

  古河電工

• 那須 秀行

  古河電気工業情報電子研究所

• 那須 秀行

  古河電気工業株式会社

• 那須 秀行

  古河電気工業

• 古川 拓也

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 野村 剛彦

  古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム

• 神林 宏

  古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム

• 李 江

  古河電工 横浜研究所

• 増田 満

  古河電工 横浜研究所

• 新山 勇樹

  古河電工

• 大友 晋哉

  古河電工

• 向原 智一

  古河電工横浜研究所半導体研究開発センター

• 神林 宏

  古河電工横浜研究所半導体研究開発センター

• 大池 瑞記

  古河電工横浜研究所半導体研究開発センター

• 吉見 伸一

  古河電工横浜研究所半導体研究開発センター

• 黒部 立郎

  古河電工横浜研究所半導体研究開発センター

• 木本 竜也

  古河電工横浜研究所半導体研究開発センター

• 村主 賢悟

  古河電工横浜研究所半導体研究開発センター

• 粕川 秋彦

  古河電工横浜研究所半導体研究開発センター

• 木本 竜也

  古河電気工業株式会社:光産業技術振興協会

• 村主 賢悟

  古河電気工業株式会社:光産業技術振興協会

• 大池 瑞記

  光産業技術振興協会:古河電気工業株式会社横浜研究所

• 田村 亮祐

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 吉田 清輝

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 那須 秀行

  古河電気工業(株)情報・電子研究所

• 池田 成明

  古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム

• 加藤 禎宏

  古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム

• 岩見 正之

  古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム

• 佐藤 義浩

  古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム

• 李 江

  古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム

• 粕川 秋彦

  古河電気工業株式会社

• 中川 裕司

  古河電気工業株式会社

• 向原 智一

  古河電気工業株式会社

• 岩見 正之

  古河電工横浜研究所

• 加藤 禎宏

  古河電工横浜研究所

• 池田 成明

  古河電工横浜研究所

• 賀屋 秀介

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 李 江

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 黒部 立郎

  古河電気工業株式会社ファイテルフォトニクス研究所

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著作論文

• 大電流動作GaN MOSFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaNパワートランジスタの開発動向(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
• 高出力AlGaN/GaN HFETの電源応用
• 高出力および高速スイッチング動作AlGaN/GaN HFET
• ノーマリオフ型GaN系RESURF-MOSFETにおける1500V/2A動作
• GaN系MOSFETのアンペアクラス250℃動作
• 25GHz間隔波長モニタ内蔵高出力、Full C-band波長可変DFBレーザモジュール(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待講演]25GHz間隔波長モニタ内蔵高出力、Full C-band波長可変DFBレーザモジュール(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• C-3-113 3 分岐ビームスプリッタを用いた広帯域波長モニタの開発
• 大電流動作GaN MOSFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 大電流動作GaN MOSFET(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Si基板上高出力GaN系電界効果トランジスタの開発
• Si基板上高破壊電圧ノーマリオフ AlGaN/GaN hybrid MOS-HFET
• Si基板上ノーマリオフAlGaN/GaNハイブリッドMOS-HFETの高耐圧化

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