吉田 清輝 | 古河電工横浜研究所次世代技術センター
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概要
関連著者
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吉田 清輝
古河電工横浜研究所
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吉田 清輝
古河電工横浜研究所次世代技術センター
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吉田 清輝
古河電気工業(株)
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吉田 清輝
古河電気工業株式会社横浜研究所
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李 江
古河電工
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伊東 義曜
古河電気工業株式会社 横浜研究所
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伊東 義曜
古河電気工業株式会社横浜研究所
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李 江
古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム
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城川 潤二郎
古河電工(株)横浜研究所
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神林 宏
古河電工 横浜研究所
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神林 宏
次世代パワーデバイス技術研究組合
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野村 剛彦
次世代パワーデバイス技術研究組合
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野村 剛彦
古河電工横浜研究所半導体研究開発センター
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池田 成明
古河電工
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城川 潤二郎
古河電気工業株式会社横浜研究所
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尾鍋 研太郎
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
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増田 満
古河電気工業株式会社 横浜研究所 Ganプロジェクトチーム
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吉田 清輝
古河電工 横浜研究所
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野村 剛彦
古河電気工業株式会社横浜研究所
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尾鍋 研太郎
東京大学
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吉田 清輝
古河電工(株)横浜研究所
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白木 靖寛
東京大学
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市川 昌和
Jrcat-atp
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尾鍋 研太郎
東大
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市川 昌和
Jrcat
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王 徳亮
JRCAT
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鈴木 譲
古河電気工業
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池田 成明
次世代パワーデバイス技術研究組合
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佐藤 義浩
次世代パワーデバイス技術研究組合
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池田 成明
古河電工 横浜研究所
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李 江
古河電工 横浜研究所
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増田 満
古河電工 横浜研究所
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野村 剛彦
古河電工 横浜研究所
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加藤 禎宏
次世代パワーデバイス技術研究組合
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加藤 禎宏
古河電工
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岩見 正之
古河電工横浜研究所
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伊東 義曜
古河電工(株)横浜研究所
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石井 宏辰
古河電気工業株式会社 半導体研究開発センター
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鈴木 譲
古河電気工業(株)横浜研究所
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李 江
古河電工(株)横浜研究所
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和田 崇宏
古河電工(株)横浜研究所
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竹原 洋斉
古河電工(株)横浜研究所
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石井 宏辰
古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部
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石井 宏辰
古河電気工業株式会社横浜研究所
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佐々木 正洋
筑波大学大学院 数理物質科学研究科 物理工学系
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吉田 清輝
古賀電気工業(株)横浜研究所次世代技術センター
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野村 剛彦
古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム
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池田 成明
古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム
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加藤 禎宏
古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム
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神林 宏
古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム
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岩見 正之
古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム
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佐藤 義浩
古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム
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新山 勇樹
次世代パワーデバイス技術研究組合
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新山 勇樹
古河電工
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大友 晋哉
古河電工
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佐藤 義浩
古河電工横浜研究所
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加藤 禎宏
古河電工横浜研究所
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池田 成明
古河電工横浜研究所
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賀屋 秀介
古河電工横浜研究所
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柿本 浩一
九州大学応用力学研究所
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木島 孝
古河電工・横浜研
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鈴木 譲
古河電工横浜研究所次世代技術センター
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佐々木 正洋
筑波大学物理工学系
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李 江
古河電工横浜研究所
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和田 崇宏
古河電工横浜研究所
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竹原 洋斉
古河電工横浜研究所
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伊東 義曜
古河電工横浜研究所
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城川 潤二郎
古河電工横浜研究所
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小沢 章一
古河電工・横浜研
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吉田 清輝
古河電工・横浜研
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菊田 俊夫
古河電工・横浜研
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佐々木 正洋
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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賀屋 秀介
次世代パワーデバイス技術研究組合
著作論文
- GaNP SQWを用いた青色LED (窒化物・青色光半導体)
- GaNパワートランジスタの開発動向(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- 高出力AlGaN/GaN HFETの電源応用
- 高出力および高速スイッチング動作AlGaN/GaN HFET
- GaN系MOSFETのアンペアクラス250℃動作
- CS-9-5 Si基板上の高耐圧スイッチングGaNパワーデバイス開発(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 光照射MOCVD法によるGaNP LED : エピキタシャル成長III
- 光照射MOCVD法によるGaNP LED(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 光照射MOCVD法によるGaNP LED(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 「結晶成長の科学と技術」小特集にあたって
- SC-5-8 n-p-n GaNバイポーラトランジスタの試作と高温動作
- 耐環境素子としてのGaN電子デバイス
- 高温動作GaN MESFET
- 高温動作GaN MESFET
- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作
- ハイパワーAlGaN/GaN HFET(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- SC-6-6 高耐圧GaN系FET及びエピ開発
- MOCVD法によるGaN/Siの結晶成長 : エピキタシャル成長III
- ガスソースMBE法によるAlGaN/GaN HFETの試作 : エピキタシャル成長II
- 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 光照射MOCVD法によるGaNP成長と光学的評価 : エピタキシャル成長I
- LEC InP結晶成長におけるエッヂファセット問題 : 融液成長III
- GaAs表面再構成構造とトリメチルガリウムの表面反応
- AlGaN/GaNパワーFET
- 真空一貫プロセスを用いるMOMBE選択成長技術の開発