光照射MOCVD法によるGaNP LED(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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GaNPは大きなバンドギャップボーイングが期待され,Pの組成比を変えることによって紫外から赤色まで幅広く発光が期待される.光照射MOCVD法によりGaNPの結晶成長を行いGaNPのLED構造を作成した.即ち,サファイア基板上にn-GaN/i-GaNP/P-GaNのSQW構造を作成し,LED化した.LEDの注入電流依存性を調べ2.9eV付近の発光のピークシフトと関係を調べた.その結果,電流注入を増やすとともにピークはブルーシフトする傾向が観察された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-08
著者
-
吉田 清輝
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
伊東 義曜
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
城川 潤二郎
古河電気工業株式会社横浜研究所
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城川 潤二郎
古河電工(株)横浜研究所
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吉田 清輝
古河電工横浜研究所
-
吉田 清輝
古河電工横浜研究所次世代技術センター
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吉田 清輝
古河電気工業(株)
-
尾鍋 研太郎
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
-
尾鍋 研太郎
東京大学
-
白木 靖寛
東京大学
-
尾鍋 研太郎
東大
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伊東 義曜
古河電気工業株式会社 横浜研究所
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