GaNパワートランジスタの開発動向(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
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概要
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GaN系パワートランジスタは、高い絶縁破壊電圧、ワイドバンドギャップといった物性上の特性から、シリコンパワートランジスタを超える性能が期待されている。本報告では、まず高耐圧、低オン抵抗、ノーマリオフ動作といったGaN系パワートランジスタの高性能化に関する要素技術についての最近のトレンドを概説する。また、これらの要素技術を用いて試作されたゲート幅240mmの大素子において耐圧800V、最大電流55A、オン抵抗10mΩcm^2のDC特性およぶ良好なスイッチング特性が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-02-22
著者
-
吉田 清輝
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
佐藤 義浩
次世代パワーデバイス技術研究組合
-
吉田 清輝
古河電工横浜研究所
-
吉田 清輝
古河電工横浜研究所次世代技術センター
-
吉田 清輝
古河電気工業(株)
-
増田 満
古河電気工業株式会社 横浜研究所 Ganプロジェクトチーム
-
野村 剛彦
古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム
-
池田 成明
古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム
-
加藤 禎宏
古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム
-
神林 宏
古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム
-
岩見 正之
古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム
-
佐藤 義浩
古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム
-
李 江
古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム
-
神林 宏
古河電工 横浜研究所
-
神林 宏
次世代パワーデバイス技術研究組合
-
野村 剛彦
次世代パワーデバイス技術研究組合
-
加藤 禎宏
次世代パワーデバイス技術研究組合
-
加藤 禎宏
古河電工
-
野村 剛彦
古河電工横浜研究所半導体研究開発センター
-
岩見 正之
古河電工横浜研究所
-
野村 剛彦
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
李 江
古河電工
-
池田 成明
古河電工
-
池田 成明
次世代パワーデバイス技術研究組合
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