大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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大電流動作を目的としてAlGaN/GaN HFETを試作した.FETの低接触抵抗化のためにガスソースMBE法でソースドレインのコンタクト層を形成した.その結果,FETは20A動作が可能で,耐圧は300Vまで向上した.FETのオン抵抗も約10mΩ・cm^2となり,同耐圧でのSiMOSFETよりも小さい値を実現した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-07
著者
-
吉田 清輝
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
吉田 清輝
古河電工横浜研究所
-
吉田 清輝
古河電工横浜研究所次世代技術センター
-
吉田 清輝
古河電気工業(株)
-
李 江
古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム
-
市川 昌和
Jrcat-atp
-
市川 昌和
Jrcat
-
石井 宏辰
古河電気工業株式会社 半導体研究開発センター
-
王 徳亮
JRCAT
-
李 江
古河電工
-
石井 宏辰
古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部
-
石井 宏辰
古河電気工業株式会社横浜研究所
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