25a-Y-7 Ga/Si(111)表面へのSi-MBE成長 II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1992-09-14
著者
関連論文
- 24aY-2 ナノメータスケールSi(001)開口部に選択成長したSi結晶のファセット形成
- 24aY-1 極薄酸化膜を用いたSi(001)上のGeの選択成長のSTM観察
- 27a-PS-61 サーファクタントエピタキシにおける表面拡散過程
- Si微結晶のSi(001)表面移動現象の観察
- 28p-PSB-18 μ-RHEED/STMによるGa吸着Si(111)表面の観察
- 25a-Y-7 Ga/Si(111)表面へのSi-MBE成長 II
- 25a-Y-2 輻射加熱によるSi/Si(001)エピタキシャル成長過程の観察
- 28p-ZF-2 μRHEED法によるSi-MBE成長の観察と制御
- 28a-ZS-8 MBE成長の計算機シミュレーション : Critical terrace width と Denuded zone
- 29p-BPS-35 Ga/Si(111)表面へのシリコンMBE成長
- 27a-ZD-2 Si(001)-2×1表面構造化機構の直接通電加熱及び輻射加熱による研究
- 2p-E-10 傍熱加熱時におけるSi(001)表面構造変化の観察
- 1p-TA-2 Si(001)表面の単原子ステップに及ぼす試料電流の効果
- 4a-T-4 Si(001)表面エレクトロマイグレーションのMicro-probeRHEED法による観察
- 4a-B4-3 Si/Si(001)表面のマイクロプローブRHEED法による観察II
- 走査型反射電子回折顕微鏡によるSiの分子線エピタキシャル成長の観察
- 30a-D-5 Si/Si(111)表面のマイクロプローブRHEED法による観察
- 1p-S-4 Micro-probe RHEED-AES法によるAl/Si(111)表面の観察
- 結晶試料用走査型反射電子回折顕微鏡
- マイクロプロ-ブ反射電子回折法による結晶表面の観察
- 4a-M-6 Micro-Probe RHEED法による絶縁膜上での単結晶Siの成長過程の観察
- 5a-E-4 Micro-Probe RHEED法によるSi表面の微細構造の観察
- ステンレス鋼表面におけるH_2O付着確率の表面状態依存性
- 小片試料表面からの吸着性放出ガスの計測法
- 無振動クライオポンプの開発
- コンダクタンス変調法による各種ポンプの排気速度特性評価
- 表面分析講座-22完-反射高速電子線回折法
- 14p-T-7 高分解能、高感度マイクロプローブRHEED法
- 28p-WB-5 Ga吸着Si(111)表面のステップダイナミックスと制御
- Gaの昇温脱離現象を利用したSi(111)面上細線構造の自己組織化
- ビ-ムを用いた固体表面のキャラクタリゼ-ション--電子ビ-ムによる表面過程の原子レベル計測--研究開発に大きな役割を果たすビ-ム技術 (アトムテクノロジ---技術開発の新地平を拓く試み)
- ガスソースMBE法によるAlGaN/GaN HFETの試作 : エピキタシャル成長II
- 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- Si-MBE成長への試料電流効果
- マイクロプロ-ブ反射電子回折法による表面研究
- 29a-L-6 レーザ照射したSiO_2上の多結晶Si薄膜の単結晶化過程のMicro-Probe RHEED法による観察
- 30p-M-7 Micro-Probe RHEED法によるレーザ照射した多結晶Siの単結晶化過程の観察
- 3a-U-10 μ-RHEED・AES装置による多結晶シリコン表面の観察
- 28a-P-5 μ-RHEED による多結晶シリコン表面の結晶面方位の決定
- 5a-BK-5 中高速反射電子回折強度のLaue表示による数値計算法
- 1a-BF-5 超高真空下での非鏡面表面試料による反射電子回折
- 9a-Z-7 一般化されたBetheポテンシャル法の反射電子回折強度計算への応用
- 9a-Z-6 非鏡面表面による反射電子回折
- 6p-H-6 一般化されたBetheポテンシャル
- 6a-H-10 反射型電子回折におけるラウエケース菊地線
- 4p-A-2 オージェ電子の吸収係数
- Si-MBE成長への試料電流効果
- マイクロプローブ反射電子回折法による表面研究
- 3a-F4-12 Si/Si(100)表面のMicro-probe RHEED法による観察(表面・界面)