ガスソースMBE法によるAlGaN/GaN HFETの試作 : エピキタシャル成長II
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概要
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An AlGaN/GaN heterojunction field effect transistor (HFET) was fabricated using a gas-source molecular beam epitaxy (GSMBE). A higher electron mobility (1200cm^2/Vs) was obtained at RT. A selective area growth (SAG) technique was carried out for the formation of a source and drain contacts. As a result, a high power AlGaN/GaN HFET was demonstrated.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
著者
-
吉田 清輝
古河電工横浜研究所
-
吉田 清輝
古河電工横浜研究所次世代技術センター
-
吉田 清輝
古河電気工業(株)
-
吉田 清輝
古河電工(株)横浜研究所
-
市川 昌和
Jrcat-atp
-
市川 昌和
Jrcat
-
李 江
古河電工(株)横浜研究所
-
王 徳亮
JRCAT
-
李 江
古河電工
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