4p-A-2 オージェ電子の吸収係数
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1975-03-15
著者
関連論文
- 6a-KE-12 オージェ電子放射顕微法と深さ分析
- 4a-B-2 走査型オージェ電子分析法 I
- 24aY-2 ナノメータスケールSi(001)開口部に選択成長したSi結晶のファセット形成
- 24aY-1 極薄酸化膜を用いたSi(001)上のGeの選択成長のSTM観察
- 誌上討論(表面物性 II. 表面を探る)
- 27a-PS-61 サーファクタントエピタキシにおける表面拡散過程
- Si微結晶のSi(001)表面移動現象の観察
- 28p-PSB-18 μ-RHEED/STMによるGa吸着Si(111)表面の観察
- 25a-Y-7 Ga/Si(111)表面へのSi-MBE成長 II
- 25a-Y-2 輻射加熱によるSi/Si(001)エピタキシャル成長過程の観察
- 28p-ZF-2 μRHEED法によるSi-MBE成長の観察と制御
- 28a-ZS-8 MBE成長の計算機シミュレーション : Critical terrace width と Denuded zone
- 29p-BPS-35 Ga/Si(111)表面へのシリコンMBE成長
- 27a-ZD-2 Si(001)-2×1表面構造化機構の直接通電加熱及び輻射加熱による研究
- 2p-E-10 傍熱加熱時におけるSi(001)表面構造変化の観察
- 1p-TA-2 Si(001)表面の単原子ステップに及ぼす試料電流の効果
- 4a-T-4 Si(001)表面エレクトロマイグレーションのMicro-probeRHEED法による観察
- 4a-B4-3 Si/Si(001)表面のマイクロプローブRHEED法による観察II
- 走査型反射電子回折顕微鏡によるSiの分子線エピタキシャル成長の観察
- 30a-D-5 Si/Si(111)表面のマイクロプローブRHEED法による観察
- 1p-S-4 Micro-probe RHEED-AES法によるAl/Si(111)表面の観察
- 結晶試料用走査型反射電子回折顕微鏡
- マイクロプロ-ブ反射電子回折法による結晶表面の観察
- 4a-M-6 Micro-Probe RHEED法による絶縁膜上での単結晶Siの成長過程の観察
- 5a-E-4 Micro-Probe RHEED法によるSi表面の微細構造の観察
- ステンレス鋼表面におけるH_2O付着確率の表面状態依存性
- 小片試料表面からの吸着性放出ガスの計測法
- 無振動クライオポンプの開発
- コンダクタンス変調法による各種ポンプの排気速度特性評価
- 低速電子線回折とspin polarization : X線・粒子線
- 中低速電子の結晶によるエネルギー損失の測定 : X線・粒子線
- 表面分析講座-22完-反射高速電子線回折法
- 30a-J-7 電界放射電子のエネルギー分布に現われるバンド構造の影響
- 27p-L-4 放射光X線トポグラフィ装置 I : 設計・製作・立上げと運転
- 14p-T-7 高分解能、高感度マイクロプローブRHEED法
- Si(111)の7×7回折像の特徴 : X線・粒子線
- 28p-WB-5 Ga吸着Si(111)表面のステップダイナミックスと制御
- Gaの昇温脱離現象を利用したSi(111)面上細線構造の自己組織化
- ビ-ムを用いた固体表面のキャラクタリゼ-ション--電子ビ-ムによる表面過程の原子レベル計測--研究開発に大きな役割を果たすビ-ム技術 (アトムテクノロジ---技術開発の新地平を拓く試み)
- 6p-L-3 CoO(001)面による低速電子線回折
- 12a-J-9 反強磁性NiOによる低速電子交換力回折強度の温度依存性
- 3a-A-9 反強磁性NiOによる交換力回折
- 3a-B-5 反強磁性NiO単結晶劈開面からの交換散乱回折
- 30p-W-6 低エネルギー電子の交換散乱・回折と NiO の磁区構造
- 6p-D-2 反強磁性体NiO結晶のLEEDによる研究
- 3a-TG-3 NiO単結晶による低エネルギー電子線の磁性回折
- 27p-L-8 放射光X線トポグラフィ装置 V : その他のトポグラフィ
- ガスソースMBE法によるAlGaN/GaN HFETの試作 : エピキタシャル成長II
- 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 2a-PS-39 2次電子のスピン状態検出による磁区観察
- 29a-L-10 電子スピン偏極率測定用Mott検出器の試作
- 28a-P-4 低速電子線のスピン状態分析用Mott検出器の試作
- 第2回固体表面国際会議
- Si-MBE成長への試料電流効果
- マイクロプロ-ブ反射電子回折法による表面研究
- 30p-N-9 多素子SSDによる吸収端の温度効果による回折強度変化の検出
- 29a-L-6 レーザ照射したSiO_2上の多結晶Si薄膜の単結晶化過程のMicro-Probe RHEED法による観察
- 30p-M-7 Micro-Probe RHEED法によるレーザ照射した多結晶Siの単結晶化過程の観察
- 3a-U-10 μ-RHEED・AES装置による多結晶シリコン表面の観察
- 28a-P-5 μ-RHEED による多結晶シリコン表面の結晶面方位の決定
- 5a-BK-5 中高速反射電子回折強度のLaue表示による数値計算法
- 1a-BF-5 超高真空下での非鏡面表面試料による反射電子回折
- 9a-Z-7 一般化されたBetheポテンシャル法の反射電子回折強度計算への応用
- 9a-Z-6 非鏡面表面による反射電子回折
- 6p-H-6 一般化されたBetheポテンシャル
- 6a-H-10 反射型電子回折におけるラウエケース菊地線
- 4p-A-2 オージェ電子の吸収係数
- 8p-N-9 鉄ウィスカーの電子顕微鏡による観察
- 24a-N-6 LEED回折強度測定とその解釈
- 24a-N-2 反射回折(RHEED)における菊池像
- 3a-E-8 100〜500eV領域の電子線回折強度曲線の特徴
- 3a-TG-2 低エネルギー電子回折強度測定法
- 9p-N-3 NiO単結晶可劈開面による低速電子線の回折
- 9p-N-2 低速及び高速電子線回折における共鳴回折現象
- 電子線回折強度の測定 : X線・粒子線
- 29a-L-5 表面析出物による屈折率の変化 (RHEED)
- 30p-M-8 結晶表面が低次指数格子面に平行でない試料による反射電子回折(II)
- 4p-NR-5 試料表面が低指数格子面に平行でない単結晶試料による反射電子回折
- 1a-N-7 シリコン単結晶表面による反射電子回折 (II)
- 3a-U-9 シリコン単結晶表面による反射電子回折
- 3p-E-13 NiO単結晶がコンプトン・プロフィルとその異方性
- Si-MBE成長への試料電流効果
- マイクロプローブ反射電子回折法による表面研究
- 4p-NR-6 非対称カット表面からの反射電子回折強度計算
- 2a-KK-5 吸収端を交差した回折強度の温度依存性(ラウエケース)II
- 11p-T-9 吸収端を交差した回折強度の温度依存性(ラウエケース)
- 超強力X線源とその応用
- 4p-A-3 反射電子回折法による顕微像の形成
- 軟X線励起による光電子分光
- 4p-A-2 低速電子回折における菊池パターン
- 3p-TD-8 金属ウイスカー発機構の電子顕微鏡による観察
- 1a-BF-4 RHEEDによるSi(111)面分数次輝点の回折強度測定
- Auger電子による吸収物の同定 : 表面物理, 薄膜
- 3a-F4-12 Si/Si(100)表面のMicro-probe RHEED法による観察(表面・界面)
- 1a-PS-26 磁区観察用偏極走査電顕の高分解能化(1p PS 磁性ポスターセッション(人工格子・強磁場・Laves相・磁気測定))